1、“.....,,,,洛阳理工学院毕业设计论文,可以证明当在温度时时间函数与缺陷的弛豫时间相同时电荷变化取得最大值。通过在不同温度下测量深能级瞬态谱，获得了组弛豫时间。和与阿累尼乌斯曲线图上斜率和在轴上的截距对应。缺陷密度的最大值可从深能级瞬态谱获得，由下式关系给出其中为电子电荷，是接触面积，是活性层厚度。深能级瞬态谱峰的强度取决于充电时间。当充电时间增加，深能级瞬态谱峰的强度随之增强，当缺陷被完全填充时趋于饱和。但是......”。

2、“.....充电时间很长时，会出现强度峰并且隐藏其它小强度峰。图表洛阳理工学院毕业设计论文明在时通过正充电电压在不同充电时间在范围内的深能级瞬态峰。峰的饱和不完全在图时通过正充电电压在不同充电时间在范围内的深能级瞬态谱峰插图在时获得深能级瞬态谱峰的分解后达到，但由于试验系统固有的限制，更长的充电时间难以被利用。深能级瞬态谱信号显示的显著峰和个别峰的位置无法明确确定。光谱的显著形状显示陷阱能级的能量分布。在图中，个主要的深能级瞬态谱峰可以分别区别于......”。

3、“.....至少有三种缺陷介绍了的带隙。我们建立这些峰的深能级瞬态谱并通过部分光谱的总和获得整体合成谱。然而，假如仅仅使用三个组成部分很难得到合适的性能。去掉人工合成的实验谱，我们发现了新的高峰并提供了新的峰位，可以建立新的合成谱。通过迭代运算，六个组件最终被使用，图给出了最合适的实验光谱。每个峰对应个缺陷能级，最高点分别为和。这种方法允许准确确定活化能和缺陷的捕获横截面依赖性温度调查。当温度增加，缺陷电荷的弛豫时间转变为较低的值......”。

4、“.....图在不同温度范围内使用的温度区间的充电电压峰的变化。插图阿累尼乌斯曲线图来源于数据的活化能和的捕获截面洛阳理工学院毕业设计论文正如所料，随着温度的降低，弛豫时间变得更长。随着峰位置的变化，阿累尼乌斯曲线对应于每个峰的绘制。插图显示了来自阿累尼乌斯曲线峰的温度测量。确定了的活化能和的捕获横截面。从峰的最大值来看，缺陷密度可以被赋值为。用相同的技术，其它缺陷能级的缺陷参数可以确定，并在表中概括......”。

5、“.....有可能在些情况下，已得到缺陷的性质。事实上，发现些峰在正向偏压和非反偏压的结论，表明他们与少数载流子注入有机发光二极管有关。在示例中深能级瞬态谱的获得在正向和反向的维持非常相似。我们应该注意到，方面是型和型缺陷，另方面是型和型缺陷，它们在准确率上有相似的活化能，这表明型型缺陷和型型缺陷对应于相同的缺陷能级。然而，我们发现，在不同温度下获得的实验谱适用于六个组件......”。

6、“.....在塑性变形硅等发现缺陷态的两个类型有相似的缺陷参数。与其相关的和的结果表明这些缺陷起因于位错但又不同于它们。因此，型型缺陷以及型和型缺陷对应于相同的性质，但他们分布在杂化材料的不同位置。此外，通过研究不同缺陷能级的捕获截面，我们发现和型缺陷在范围内比型缺陷在范围内有较大的捕获面积。典型的捕获横截面是在范围的聚合物和的硅或二氧化硅。因此，三个第缺陷，和来自无机部分，而其它三个，和来自有机组成部分......”。

7、“.....事实上，氧化硅薄膜，等归因于缺陷的的捕获横截面与氢氧化硅的存在。在材料中，洛阳理工学院毕业设计论文活性层中氢氧化硅的存在可能导致硅与氧的笼型倍半硅氧烷结构和氢的聚合物链反应。此外，硅位错的研究表明，存在的活化能和捕获横截面的缺陷。特性分析表明有两个典型的性能，这表明在位于和的带隙边缘和与的密度至少有两个主要的缺陷能级。活化能的值和密度的估计分别与特性的无机部分和杂化材料的有机部分对应。这观察表明......”。

8、“.....因此会强烈的影响低场传输。捕获的有机部分在高电压下会强烈的影响电荷传输。我们可以注意到，接通电压发生在中间区并对应于有机部分的缺陷填充。假设发光二极管大部分地控制缺陷填充。由于设备的两极格局，缺陷的性质可能无法明确确定。型活化能和型缺陷相当接近，这表明它们中的些可能是少数类陷阱，而其它的可能是多数类缺陷。此外，分配给聚合物，和型的缺陷参数与孔洞有较好的致性，如深能级瞬态谱在聚甲氧基乙基己氧基......”。

9、“.....基于二极管的缺陷检测和的检测有可能有类似的起因。而且，与电极的接口可能在缺陷的创造上发挥了重要作用特别是钙阴极的设备，它是种强烈的反应物。些缺陷状态可能来自电极和活性层之间的影响。目前还不清楚二极管是缺陷接口还是分散缺陷。互补的结果是需要清楚地查明关于建立缺陷界面的作用和缺陷状态的位置在接口附近还是在容积中。结论在这项研究中，我们已经通过使用深能级瞬态谱技术研究了二极管的缺陷态。深能级瞬态谱表明显著的峰暗示了广泛的能量......”。