1、“.....表面近似设置中的目标面可能是平面柱面锥面环面球面或螺旋形。称最初的模型表面为真实表面。为了产生个有限元网格，首先将所有的真实表面剖分为三角形。由于用系列的直线段来表示曲面或平面，因此称这些三角形表面为多面体表面。平面中的三角形的纵横比为三角形的外接圆半径与三角形内切圆半径之比。可以在个或多个表面上修改表面偏差允许的最大偏差和三角形的最大纵横比，这些量在对话框中给出点击。表面近似设置将用于初始剖分。对于初始网格，三角形所有的顶点都位于真实表面上。在自适应剖分过程中，顶点增加到剖分表面，而不是真实表面。很难做到三角形的纵横比接近于，这是因为只有等边三角形可以被填充到网格中。因此，限制平面物体的纵横比为，曲面物体为。引线的剖分处理引线是连接金属布线和芯片之间的细金属线。可以选择创建标准的四点引线，如图所示......”。

2、“.....也可以选择创建标准的五点引线，如图所示。图五点引线示意图图中水平面和线在焊接点处的夹角水平面和线在导引点处的夹角。在创建引线时，首先要选择个焊接点，三维空间中的点定义为水平面的焊接点。然后选择导引点，其指定水平面上引线跨接的距离。将使用焊接点和导引线之间的距离来计算两者之间的高度或在对话框中输入。在研究对象结构内部进行全波电磁场仿真计算之前，必须在每个端口处求解场模式。计算与端口具有相同横截面的传输结构所能存在的场模式，求得的场模式作为整体问题的边界条件。衰减器设计结构形式衰减器对电压波形有定的影响，过渡段的变化趋势对场波形也有定的影响。在衰减器结构设计时，先确定是直线过渡还是凸或凹形效果比较好。在图，结构为凹过渡，结构为直线形过渡，结构为凸形过渡。图过渡段的设置图输出波形对于过渡段结构......”。

3、“.....输出端波形比较光滑凹型结构会由于在结构不连续处发生突变形成小型的负脉冲，匹配效果不明显凸型结构的波形突变情况和凹型相似。外考虑到实际加工中，直线过渡要比弧线过渡简单的多，为此选定直线过渡结构。仿真模型建立通过对衰减器结构形式的研究确定，采用两端直线过渡的结构，用建立模型如图。图衰减器的模型结构仿真仿真中激励主要是选用高斯脉冲，可以得出宽频带内的驻波比。高斯脉冲波形如图所示。图高斯脉冲波形高斯脉冲激励，其中表示脉冲信号幅度，为时间，是脉冲持续时间，它不仅决定了脉冲宽度，还决定了信号频谱的中心频率和带宽。尺寸参数优化的过程为选定个需要优化的尺寸，设置尺寸的变化范围，用扫频的方法计算衰减器在以下的驻波比特性，得到在宽频带内整体较优的特性曲线，整体较优指在宽频带内的驻波比值都比较小，该曲线对应的结构尺寸值即为优化后的尺寸。不改变套筒电阻......”。

4、“.....当时驻波比对比如图中所示。图不同直径驻波比当时差损曲线对比如图中所示。图不同直径差损曲线不改变电阻，只改变套筒电阻，当时驻波比对比如图中所示。图不同直径驻波比当时差损曲线对比如图中所示。图不同直径差损曲线经过各部分得结构尺寸优化后，直径为，直径为，最终得到的驻波比曲线如图所示，其中横坐标为频率，纵坐标为驻波比。图衰减器驻波比仿真中，通过增益看衰减器的性能，增益与插损相反，在仿真输出结果中，为插损，插入损耗是指发射机与接收机之间，插入电缆或元件产生的信号损耗，通常指衰减，插入损耗以接收信号电平的对应分贝来表示。输出插损结果，取单位，曲线如图。图衰减器的差损曲线样机制作电阻材料的选择通过以上仿真分析，确定了纳秒脉冲测量所用衰减器的结构尺寸，在衰减器制作过程中，电阻是构成衰减器的主要元件，其性能直接影响衰减器的性能。现有的电阻元件的种类很多......”。

5、“.....为了研制出达到测量准确度的衰减器，磊，田应伟，曾兴亮功率放大电路设计今日科苑薛春荣，汪洁，吴文娟光纤型光可变衰减器的探索激光与红外赵仲钢光纤通信与光纤传感上海科学技术文献出版社王平，郭宏福电磁波传输辐射传播西安西安电子科技大学出版社朱君豪高频衰减器的设计与制作军事通信技术，蒋铁珍，石振华，吴世才等数控衰减器的设计武汉大学学报理学版袁德昌电阻型组合衰减器大有发展前途集成电路李效白砷化镓微波功率场效应晶体管及其集成电路北京北京科学出版社周争鸣匹配衰减器的设计上海应用技术学院学报安捷伦推出衰减控制器业内动态梁杰衰减器元件参数设计电子制作梁杰衰减器元件参数设计二电子制作盛剑霓工程电磁场数值分析西安西安交通大学出版社金建铭电磁场有限元法西安西安电子科技大学出版社曾余庚，徐国华......”。

6、“.....张建得，贺元吉变阻抗传输技术的理论研究国防科技大学学报增刊，须对这些电阻的各项参数进行对比分析，选择出合适的电阻器。为使电阻衰减器达到准确度要求，所选电阻元件必须具有较小的温度系数和电压系数。同时衰减器还要满足定的耐高压冲击的要求，考虑到减小衰减器体积，电阻串联的个数不宜多，故需要采用高阻值高电压的电阻。常规用于电阻衰减器的电阻主要有碳膜电阻器金属膜电阻器和线绕电阻。对这几种电阻器进行分析和比较如下碳膜电阻器是种薄膜电阻器，它是通过真空高温热分解的结晶碳沉积在柱形的或管形的陶瓷骨架上制成的，并通过控制膜的厚度和刻槽来控制电阻值，因其制作容易，成本低廉，得到广泛应用......”。

7、“.....涂覆在绝缘骨架上，经加热聚合而成，这种电阻器主要适于制成高压高阻用的电阻器，但不足之处在于抗湿性差，电压稳定性低，频率特性不好，噪声大。合成碳膜电阻器或碳膜电阻器统称碳质电阻器用于初始精度和随温度变化的稳定性认为不重要的普通电路。典型应用包括晶体管或场效应管偏置电路中集电极或发射极的负载电阻，充电电容器的放电电阻以及数字逻辑电路中的上拉电阻或下拉电阻。碳质电阻器按照准对数序列规定系列标准电阻值，阻值范围从到，允许偏差从碳膜电阻器到，甚至高达合成碳膜电阻器。额定功率范围从到，其中功率为和，允许偏差为和的电阻器用得最多。碳质电阻器的温度系数很差典型值为，。所以当温度变化时要求阻值几乎不变的精密应用场合，不适合选用这种电阻器。线绕电阻器是用高比电阻材料康铜锰铜或镍铬合金丝缠绕在陶瓷骨架上制作而成的电阻器......”。

8、“.....功率大，能承受大功率负荷等优点。其缺点是高频特性差，线绕电阻器可以制成低噪声，耐热性好的功率型普通线绕电阻器精密线绕电阻器以及高精密线绕电阻器。但是，通常线绕电阻器的最高工作电压只有几百伏。故不适用于幅值很高的纳秒高压脉冲测量。金属膜电阻器也是种薄膜电阻器，它是将金属或合金材料用高真空加热蒸发法在陶瓷体上形成层薄膜制成。金属膜电阻器的稳定性好，耐热性能好，温度系数小，工作频率范围大，噪声电动势很小，电压系数比碳膜电阻器更好，相同功率条件下比碳膜电阻器体积小很多。但金属膜电阻器的脉冲负荷稳定性较差。金属氧化膜电阻器是将些金属的盐溶液喷雾到炽热的陶瓷骨架上沉积而成，抗氧化和耐热性能好但受材料特性和膜层厚的限制，金属氧化膜电阻具有耐高温抗氧化热稳定性好超负载稳定性好，长期工作稳定可靠的特性。可在环境温度下使用......”。

9、“.....经受上升沿很快的电压冲击或正常的操作冲击电压之后，阻值会发生改变。线绕电阻器最高工作电压只有几百伏，也不适于纳秒高压测量。而金属氧化膜电阻具有高信赖性，高稳定性及不燃等特性，适用于各种较大功率回路，故在电阻衰减器的制作过程中选用金属氧化膜电阻器。其他材料选择衰减器中用到的绝缘材料，主要是选用了聚四氟乙烯。在制作衰减器的过程中，由于对加工材料的光滑美观性耐磨损性表面硬度刚性和尺寸稳定性要求比较严格，在两端锥形过渡段的绝缘材料主要是采用了聚甲醛。而其中高压低压屏蔽筒主要是采用了铜和铝，主要是考虑到二者易于加工，并且导电导热性能方面都很好。具体样机结构衰减器原理图如图。图衰减器原理图图为衰减器的实物图，用到了两种规格的大功率高频电阻，和达到衰减的标准......”。