1、“.....其晶粒所占的体积约为,另外则为晶粒之间的大量界面原子所占据。纳米硅薄膜由于独特的结构而具有系列独特性质,如电导率高光热稳定性好电池的研制,展现了纳米硅薄膜器件的广阔前景。紫外光电探测器方面,等人制作了纳米Si薄膜紫外光电探测器。他们首先以电化学分解法在HFHO混合液中制备了尺寸为nm的纳米Si晶。然后开始器件的制作在P型衬观物体之间处于中间物态的固体颗粒材料。纳米光电材料研究现状概述(原稿)。纳米硅薄膜发光特性纳米硅薄膜是由纳米尺寸的硅微晶粒构成的种纳米固体材料,其晶粒所占的体积约为,另外则为晶粒之间的大量界面原子所子表面原子所占的比例增大。当表面原子数增加到定程度,粒子性能更多地由表面原子而不是由晶格上的原子决定。由于表面原子数的增多会导致许多缺陷......”。

2、“.....由此可以看出纳米光电材料比普通光电纳米光电材料研究现状概述(原稿)doc型热光开关。光开关中采用的纳米线波导的横截面尺寸为nmnm,这些热光开关器件所占的面积分别为μmμmμmμm和μmμm,消光比超过dB,开关功耗低于mW,开关响应时间小于μs。纳米光电材料研究现状概导致许多缺陷,从而决定了它有更高的活性。由此可以看出纳米光电材料比普通光电材料有更高的光催化活性。本文将从以上种材料来介绍。纳米粉在广电探测器中的研究纳米粉体具有体积效应表面效应量子尺寸效应介电限域下路波长时输出端的消光比为dB,其下路波长可以通过改变光栅参数来进行调节。将SOI纳米线引入到热光开关中,有助于器件尺寸和功耗的减小。Chu等人首次报道了基于纳米线波导的和的MachZehnder干面分别淀积厚nm的Au凸点,作为器件的引出电极......”。

3、“.....纳米粉又称为超微粉或超细粉,般指粒度在纳米以下的粉末或颗粒,是种介于原子分子与宏观物体之间制作了纳米Si薄膜紫外光电探测器。他们首先以电化学分解法在HFHO混合液中制备了尺寸为nm的纳米Si晶。然后开始器件的制作在P型衬底上生长nm的氧化层接着用氢氟酸缓冲液在氧化层上刻蚀出器件图形然处于中间物态的固体颗粒材料。表面效应是纳米光电子材料的另个重要特性。纳米粒子表面原子所占的比例增大。当表面原子数增加到定程度,粒子性能更多地由表面原子而不是由晶格上的原子决定。由于表面原子数的增多会纳米硅薄膜发光特性纳米硅薄膜是由纳米尺寸的硅微晶粒构成的种纳米固体材料,其晶粒所占的体积约为,另外则为晶粒之间的大量界面原子所占据。纳米硅薄膜由于独特的结构而具有系列独特性质,如电导率高光热稳定性好成......”。

4、“.....下路波长时输出端的消光比为dB,其下路波长可以通过改变光栅参数来进行调节。将SOI纳米线引入到热光开关中,有助于器件尺寸和功耗的减小。Chu等人首次报道了基于纳米线波导的和的材料是指能够将光能转化为电能或化学能等其它能量的种纳米材料。由于其良好的性能巨大的发展前景而广泛用于光通信光存储全光网络光电探测器等各个方面。定向耦合器DC是波分复用网络中最常用的基本元件之。Yam效应等各种效应,所以纳米粉体表现出强吸光能力高活性高催化性高选择性高扩散性高磁化率和矫顽力等奇特理化性能。纳米粉体的所具有的特异性能使其潜在应用价值极大。表面效应是纳米光电子材料的另个重要特性。纳米处于中间物态的固体颗粒材料。表面效应是纳米光电子材料的另个重要特性。纳米粒子表面原子所占的比例增大。当表面原子数增加到定程度......”。

5、“.....由于表面原子数的增多会型热光开关。光开关中采用的纳米线波导的横截面尺寸为nmnm,这些热光开关器件所占的面积分别为μmμmμmμm和μmμm,消光比超过dB,开关功耗低于mW,开关响应时间小于μs。纳米光电材料研究现状概紧凑的dB耦合器。在此基础之上,他们还制作了种基于纳米线波导的Bragg反射型光上下路复用器,它由两个在侧壁上刻有Bragg光栅的纳米线波导和两个基于纳米线波导的dB耦合器构成。下路波长带宽不超过,纳米光电材料研究现状概述(原稿)docMachZehnder干涉型热光开关。光开关中采用的纳米线波导的横截面尺寸为nmnm,这些热光开关器件所占的面积分别为μmμmμmμm和μmμm,消光比超过dB,开关功耗低于mW,开关响应时间小于μ型热光开关。光开关中采用的纳米线波导的横截面尺寸为nmnm......”。

6、“.....消光比超过dB,开关功耗低于mW,开关响应时间小于μs。纳米光电材料研究现状概。由此可以制作出结构非常紧凑的dB耦合器。在此基础之上,他们还制作了种基于纳米线波导的Bragg反射型光上下路复用器,它由两个在侧壁上刻有Bragg光栅的纳米线波导和两个基于纳米线波导的dB耦合器构最后,在纳米Si晶膜上淀积层厚为nm的半透明Au层,Au层之上和衬底背面分别淀积厚nm的Au凸点,作为器件的引出电极。定向耦合器DC是波分复用网络中最常用的基本元件之。Yamada等人首次报道了种基ada等人首次报道了种基于纳米线波导的定向耦合器,两个耦合波导的横截面尺寸为,间距仅为。由于两个波导之间很强的耦合作用,定向耦合器的耦合长度仅为μm,当耦合波导之间的间距减少时,波导长度还可以进步缩处于中间物态的固体颗粒材料......”。

7、“.....纳米粒子表面原子所占的比例增大。当表面原子数增加到定程度,粒子性能更多地由表面原子而不是由晶格上的原子决定。由于表面原子数的增多会述(原稿)。摘要文章综述了纳米薄膜纳米粉纳米线纳米管等各种纳米光电材料的研究现状和应用前景。关键词纳米薄膜,纳米粉,纳米线,纳米管,光波导概述纳米光电材料纳米材料是种粒子尺寸在到nm的材料。纳米光电下路波长时输出端的消光比为dB,其下路波长可以通过改变光栅参数来进行调节。将SOI纳米线引入到热光开关中,有助于器件尺寸和功耗的减小。Chu等人首次报道了基于纳米线波导的和的MachZehnder干好光吸收能力强光学能隙宽化光致发光等,而且还具有明显的量子尺寸效应。近年来,已成功地研制了纳米硅异质结极管,并正展开纳米硅薄膜太阳电池的研制,展现了纳米硅薄膜器件的广阔前景......”。

8、“.....等人纳米线波导的定向耦合器,两个耦合波导的横截面尺寸为,间距仅为。由于两个波导之间很强的耦合作用,定向耦合器的耦合长度仅为μm,当耦合波导之间的间距减少时,波导长度还可以进步缩短。由此可以制作出结构非常纳米光电材料研究现状概述(原稿)doc型热光开关。光开关中采用的纳米线波导的横截面尺寸为nmnm,这些热光开关器件所占的面积分别为μmμmμmμm和μmμm,消光比超过dB,开关功耗低于mW,开关响应时间小于μs。纳米光电材料研究现状概底上生长nm的氧化层接着用氢氟酸缓冲液在氧化层上刻蚀出器件图形然后将硅片浸入纳米硅晶的酒精悬浊液中,用种类似于金属电镀的电化学电镀方法,将纳米Si晶淀积到已刻蚀出的氧化层图形中,淀积厚度约nm下路波长时输出端的消光比为dB,其下路波长可以通过改变光栅参数来进行调节......”。

9、“.....有助于器件尺寸和功耗的减小。Chu等人首次报道了基于纳米线波导的和的MachZehnder干据。纳米硅薄膜由于独特的结构而具有系列独特性质,如电导率高光热稳定性好光吸收能力强光学能隙宽化光致发光等,而且还具有明显的量子尺寸效应。近年来,已成功地研制了纳米硅异质结极管,并正展开纳米硅薄膜太阳材料有更高的光催化活性。纳米光电材料研究现状概述(原稿)。纳米材料的分类纳米材料大致可分为纳米粉末维纳米材料纳米膜等。纳米粉又称为超微粉或超细粉,般指粒度在纳米以下的粉末或颗粒,是种介于原子分子与宏效应等各种效应,所以纳米粉体表现出强吸光能力高活性高催化性高选择性高扩散性高磁化率和矫顽力等奇特理化性能。纳米粉体的所具有的特异性能使其潜在应用价值极大。表面效应是纳米光电子材料的另个重要特性。纳米处于中间物态的固体颗粒材料......”。