1、“.....而半导体是根据光子能量导致的对光的吸收系数强烈,影响模拟实验准确度的原因般是半导体材料对光的吸收而产生的电离不均匀的情况器件中掺杂的类型和浓度对半导体对光的吸收系数和电离能,这也模拟剂量率效应的机理和方法,为我国相关领域的实际需要提供研究参考和技术手段。参考文献刘萍半导体器件和集成电路的辐射效应薛洲,浅谈半导体器件辐射电离效应的激光模拟方法。辐射效应激光模拟存在的主要问题和研究方法由于激光分布的分析是激光模拟辐射电离效应中的核心问题,并且关于激光能力参数相对应的等效剂量相对应的数学模型的构建,可以根据不同因素在半导体器件内通过构造和辐射场相近的激光场来进行研究。现下已知的激光模拟辐射剂量率的主要范半导体器件辐射电离效应的激光模拟方法原稿......”。

2、“.....般很难有长时间来进行真实情况的模拟,利用提高激光能量来进行加速实验是否具有有效性还未得到验证低剂量率下的总剂量效应主这也是造成电离不均匀的原因之由于金属对激光产生的较高的反射率导致的遮挡效应也会造成电离不均匀由于等介质不能通过激光能量进行完全的电离,因此对于存在这些介质的器件产生不太满意的模拟实验效果因为关系下限还未确定,目前报道级的脉冲激光可以等效的辐射剂量率约为,那么甚至小于的剂量率对应的激光能量可能为甚至更小。这种情况下,利用激光长期辐照半导体器件模拟总剂量效激光与半导体相互作用原理和激光与半导体相互作用原理的不同,使得实验模拟结果具有定的应用范围和定的差异。在瞬时剂量率效应方面,两种机制的主要区别包括,存在的差别主要是射线具有的高能量和较强的穿透力......”。

3、“.....利用激光长期辐照半导体器件模拟总剂量效应,激光的漂移长期稳定性信噪比可能极大地影响模拟的精确度总剂量效应的研究往往需要较长的时间,般很难有长时间来进行真实情况的模拟,利用提高激光能量来进行加速实统中会产生在各个方向上基本致的电离效果,而半导体是根据光子能量导致的对光的吸收系数强烈,影响模拟实验准确度的原因般是半导体材料对光的吸收而产生的电离不均匀的情况器件中掺杂的类型和浓度对半导体对光的吸收系数和电离能相比于大型地面辐射模拟装臵,激光模拟方法具有许多独特优势,可为深入认识半导体器件辐射效应,开展有针对性的抗辐射加固设计提供重要的补充手段,其研究在理论和应用方面均具有重要性。,激光模拟长期低剂量率下半导体器件总剂量上,激光照射半导体器件引发的物理过程非常复杂,除了上述吸收机制外......”。

4、“.....线性吸收。根据能带理论,当光子能量大于半导体禁带宽度时,主要的吸收机制为单光子吸收。性的抗辐射加固设计提供重要的补充手段,其研究在理论和应用方面均具有重要性。关键词半导体器件辐射电离效应激光模拟因为对半导体器件进行安全快捷无损伤的辐射效应研究及验证的迫切需求,激光模拟辐射电离效应方法应运而生射线可以对空气进行电离,而激光不能,因此而造成定的影响因为射线产生的热载流子具有较高的能量,而激光的光致载流子能力较低激光脉冲的形状和脉宽到和射线脉冲很难做到完全相同。对激光场在器件内的时间和强度特性以及空统中会产生在各个方向上基本致的电离效果,而半导体是根据光子能量导致的对光的吸收系数强烈......”。

5、“.....激光的漂移长期稳定性信噪比可能极大地影响模拟的精确度总剂量效应的研究往往需要较长的时间,般很难有长时间来进行真实情况的模拟,利用提高激光能量来进行加速实验是否具有有效性还未得到验证低剂量率下的总剂量效应主。对于在这个范围之外的激光模拟剂量率效应研究只有极少数,因此需要对激光模拟进行更多更精细的完善措施。,激光模拟长期低剂量率下半导体器件总剂量效应目前存在的问题如下激光能量与辐射剂量率的线性对半导体器件辐射电离效应的激光模拟方法原稿键词半导体器件辐射电离效应激光模拟因为对半导体器件进行安全快捷无损伤的辐射效应研究及验证的迫切需求,激光模拟辐射电离效应方法应运而生,并得到了国外科研界的推动和认可。半导体器件辐射电离效应的激光模拟方法原稿,激光的漂移长期稳定性信噪比可能极大地影响模拟的精确度总剂量效应的研究往往需要较长的时间......”。

6、“.....利用提高激光能量来进行加速实验是否具有有效性还未得到验证低剂量率下的总剂量效应主尽层电场的作用下,往相反方向运动形成光电流,通过器件互联,传播并放大至后续器件中。这个物理机制和射线照射半导体器件非常接近。半导体与激光产生的光致光电流来源于半导体材料对光子的吸收,分为线性吸收和非线性吸收。实际以对空气进行电离,而激光不能,因此而造成定的影响因为射线产生的热载流子具有较高的能量,而激光的光致载流子能力较低激光脉冲的形状和脉宽到和射线脉冲很难做到完全相同。对激光场在器件内的时间和强度特性以及空间分布,并得到了国外科研界的推动和认可。半导体器件辐射电离效应的激光模拟方法原稿。激光与半导体相互作用基本原理激光模拟辐射电离效应最基本原理是半导体器件吸收激光能量,产生电子空穴对,形成电子空穴等离子体......”。

7、“.....而半导体是根据光子能量导致的对光的吸收系数强烈,影响模拟实验准确度的原因般是半导体材料对光的吸收而产生的电离不均匀的情况器件中掺杂的类型和浓度对半导体对光的吸收系数和电离能要发生在和的界面层,而激光很难有效地电离,其模拟的机理和准确性可能和实际情况差别较大,需要进步明确。相比于大型地面辐射模拟装臵,激光模拟方法具有许多独特优势,可为深入认识半导体器件辐射效应,开展有针关系下限还未确定,目前报道级的脉冲激光可以等效的辐射剂量率约为,那么甚至小于的剂量率对应的激光能量可能为甚至更小。这种情况下,利用激光长期辐照半导体器件模拟总剂量效量效应目前存在的问题如下激光能量与辐射剂量率的线性对应关系下限还未确定,目前报道级的脉冲激光可以等效的辐射剂量率约为......”。

8、“.....并且关于激光能力参数相对应的等效剂量相对应的数学模型的构建,可以根据不同因素在半导体器件内通过构造和辐射场相近的激光场来进行研究。现下已知的激光模拟辐射剂量率的主要范围是半导体器件辐射电离效应的激光模拟方法原稿,激光的漂移长期稳定性信噪比可能极大地影响模拟的精确度总剂量效应的研究往往需要较长的时间,般很难有长时间来进行真实情况的模拟,利用提高激光能量来进行加速实验是否具有有效性还未得到验证低剂量率下的总剂量效应主造成电离不均匀的原因之由于金属对激光产生的较高的反射率导致的遮挡效应也会造成电离不均匀由于等介质不能通过激光能量进行完全的电离,因此对于存在这些介质的器件产生不太满意的模拟实验效果因为射线可关系下限还未确定,目前报道级的脉冲激光可以等效的辐射剂量率约为......”。

9、“.....这种情况下,利用激光长期辐照半导体器件模拟总剂量效半导体相互作用原理和激光与半导体相互作用原理的不同,使得实验模拟结果具有定的应用范围和定的差异。在瞬时剂量率效应方面,两种机制的主要区别包括,存在的差别主要是射线具有的高能量和较强的穿透力,在半导体器件和系统中会是。对于在这个范围之外的激光模拟剂量率效应研究只有极少数,因此需要对激光模拟进行更多更精细的完善措施。半导体器件辐射电离效应的激光模拟方法原稿。因此,应尽快推进相关研究,认真深入探讨激光射线可以对空气进行电离,而激光不能,因此而造成定的影响因为射线产生的热载流子具有较高的能量,而激光的光致载流子能力较低激光脉冲的形状和脉宽到和射线脉冲很难做到完全相同。对激光场在器件内的时间和强度特性以及空统中会产生在各个方向上基本致的电离效果......”。