1、“.....般选时,要结合材料去除率损伤深度等指标的具体要求,在合适的范围内选取适当的磨削参数。通过硅片表面氧化层错观察,砂轮粒径越小,越能够去除硅片表面层损伤,但加工效率会受到影响,因此可选取粗磨与精磨结合减薄的方法,粗对硅片表面层损伤深度的影响,并通过氧化层错观察,根据磨削的基本原理对结果进行了分析与讨论减薄会在硅片表面引入机械损伤,损伤层厚度和研磨减薄砂轮粒度有关,釆用小的磨粒粒径砂轮进行磨削,可以获得好的硅片表面质量抛光去除后,硅片的表面损伤层已经完全去除,满足后面工序对硅片表面质量的要求,但磨削加工效率很低。因此在磨削加工过程中,可选用砂轮作为粗磨工序加工砂轮,通过其较强的切削能力,去除大部分的加工余量,以获得较磨削工艺对晶片表面层损伤深度的影响原稿善。晶圆减薄机磨削原理磨削设备通常釆用硅片自旋转方式进行磨削......”。

2、“.....通过控制砂轮轴向进给速率实现硅片磨削。般分为粗磨和精磨两个阶段。粗磨为了达到快速去除材料降低加工时间的目的,后经过湿氧氧化个小时,以放大硅片中的缺陷,最后用体积比为择优腐蚀液腐蚀显示。使用金相显微镜对腐蚀后的硅片进行观察,确定其表面氧化层错情况。轮轮轮图不同粒径砂轮磨削后硅片氧化层错情况倍图可,增大砂轮转速,造成单位时间内参与磨削的磨粒数量增加,而在相同的砂轮轴向进给速度下,材料去除速率相同。因此在这种情况下,每个磨粒的实际切削深度变小,从而使得硅片表面质量,尤其是硅片表面层损伤深度得到很大的改削深度也会增加,故而造成磨削过程中材料脆性去除的比例急剧增加,硅片表面质量变差。因此,在磨削过程中,若想获得较好的硅片表面质量,应当选用较小的砂轮轴向进给速度。但减小砂轮轴向进给速率,会降低硅片磨削速率......”。

3、“.....这是因为在磨削加工过程中,增大砂轮转速,造成单位时间内参与磨削的磨粒数量增加,而在相同的砂轮轴向进给速度下,材料去除速率相同。因此在这种情况下,每个磨粒的实际切削深度变小,从而使得硅片表面质响加工效率。综合考虑硅片表面质量和加工效率,选定砂轮轴向进给速度为。磨削工艺对晶片表面层损伤深度的影响原稿。磨削深度对抛光表面质量的影响将砂轮进行磨削后的硅片进行双面抛光,拋光去除量为,然晶圆减薄机磨削原理磨削设备通常釆用硅片自旋转方式进行磨削,磨削过程中硅片与砂轮绕各自轴线旋转,通过控制砂轮轴向进给速率实现硅片磨削。般分为粗磨和精磨两个阶段。粗磨为了达到快速去除材料降低加工时间的目的,般选出现大量的破碎坑,使得片的表面质量变差,硅片的表面层损伤深度增加。磨削加工后表面形貌如图所示。关键词磨削表面层损伤深度表面质量前言随着磨削技术的改善......”。

4、“.....硅片随着磨削技术的改善,人们使用超精密磨削工艺代替传统的研磨与腐蚀工艺。硅片表面层损伤是评价硅片加工质量的个重要指标。本文旨在研究硅片自旋转磨削表面层损伤的特征,提出减小硅片表面层损伤深度的工艺措施,为减少后续看出,使用砂轮磨削加工后,硅片表面粗糙,氧化层错情况仍然显著。这是因为大粒径砂轮磨削后硅片表面层损伤深度较大,经过抛光去除后,表面层损伤没有完全去除。而砂轮磨削后的硅片表面氧化层错要有明显改善,可见经过响加工效率。综合考虑硅片表面质量和加工效率,选定砂轮轴向进给速度为。磨削工艺对晶片表面层损伤深度的影响原稿。磨削深度对抛光表面质量的影响将砂轮进行磨削后的硅片进行双面抛光,拋光去除量为,然善。晶圆减薄机磨削原理磨削设备通常釆用硅片自旋转方式进行磨削......”。

5、“.....通过控制砂轮轴向进给速率实现硅片磨削。般分为粗磨和精磨两个阶段。粗磨为了达到快速去除材料降低加工时间的目的,。但减小砂轮轴向进给速率,会降低硅片磨削速率,影响加工效率。综合考虑硅片表面质量和加工效率,选定砂轮轴向进给速度为。图可以看出,硅片的表面损伤深度与砂轮转速呈现负相关关系。这是因为在磨削加工过程中磨削工艺对晶片表面层损伤深度的影响原稿表面层损伤是评价硅片加工质量的个重要指标。本文旨在研究硅片自旋转磨削表面层损伤的特征,提出减小硅片表面层损伤深度的工艺措施,为减少后续抛光时间,代替腐蚀过程提供指导。磨削工艺对晶片表面层损伤深度的影响原稿善。晶圆减薄机磨削原理磨削设备通常釆用硅片自旋转方式进行磨削,磨削过程中硅片与砂轮绕各自轴线旋转,通过控制砂轮轴向进给速率实现硅片磨削。般分为粗磨和精磨两个阶段......”。

6、“.....径的砂轮进行磨削加工,硅片表面层损伤深度较小,随着砂轮粒径的逐渐增大,硅片损伤层深度增大。当使用磨削砂轮磨削时,由于粒径较大,磨粒切削深度增大,造成磨削时硅片的表面材料去除模式中脆性去除的比例增加,硅片表面学,黄弘毅,矽晶圆超精密轮磨之研宄台北国立大学,王仲康超薄化芯片电子业专用设备,。图图图图可以看出,硅片的表面损伤深度与轴向进给速度呈现正相关关系。增大砂轮轴向进给速度,使得砂轮对于硅片表面的切削抛光时间,代替腐蚀过程提供指导。磨削工艺对晶片表面层损伤深度的影响原稿。结果与分析砂轮粒径对损伤深度的影响通过砂轮进行磨削,片组,分组,进行自动磨削过程,磨削粒径与损伤深度的关系如表由表可见,使用较小粒响加工效率。综合考虑硅片表面质量和加工效率,选定砂轮轴向进给速度为。磨削工艺对晶片表面层损伤深度的影响原稿......”。

7、“.....拋光去除量为,然选用的砂轮磨粒粒径较大,且砂轮的轴向进给速度也较大,磨削深度般在以内。精磨主要是为了去除粗磨过程残留的表面损伤层,以延性去除模式为主,磨削深度在几微米至几十微米。关键词磨削表面层损伤深度表面质量前言,增大砂轮转速,造成单位时间内参与磨削的磨粒数量增加,而在相同的砂轮轴向进给速度下,材料去除速率相同。因此在这种情况下,每个磨粒的实际切削深度变小,从而使得硅片表面质量,尤其是硅片表面层损伤深度得到很大的改选用的砂轮磨粒粒径较大,且砂轮的轴向进给速度也较大,磨削深度般在以内。精磨主要是为了去除粗磨过程残留的表面损伤层,以延性去除模式为主,磨削深度在几微米至几十微米。图可以看出,硅片的表面损伤深度与砂轮转速力和挤压力变大,材料的去除速率增大......”。

8、“.....故而造成磨削过程中材料脆性去除的比例急剧增加,硅片表面质量变差。因此,在磨削过程中,若想获得较好的硅片表面质量,应当选用较小的砂轮轴向进给速度磨削工艺对晶片表面层损伤深度的影响原稿善。晶圆减薄机磨削原理磨削设备通常釆用硅片自旋转方式进行磨削,磨削过程中硅片与砂轮绕各自轴线旋转,通过控制砂轮轴向进给速率实现硅片磨削。般分为粗磨和精磨两个阶段。粗磨为了达到快速去除材料降低加工时间的目的,阶段选用砂轮,精磨阶段选用砂轮,来改善硅片表面形貌,降低硅片表面损伤层度。参考文献张银霞,李大磊,郜伟等硅片加工表面层损伤检测技术的实验研宄人工晶体学报,高尚硅片超精密磨削简报工艺基础研宄大连大连理工大,增大砂轮转速,造成单位时间内参与磨削的磨粒数量增加,而在相同的砂轮轴向进给速度下,材料去除速率相同。因此在这种情况下......”。

9、“.....从而使得硅片表面质量,尤其是硅片表面层损伤深度得到很大的改,即拥有浅的表面损伤层,但小的磨粒粒径砂轮会降低磨削去除速率,影响生产效率的提升。砂轮轴向进给速度和砂轮转速对硅片的表面质量影响显著,但工作台转速即硅片转速对硅片的表面质量影响并不明显。因此,在选定磨削参数快的加工效率。在精磨过程中,选用砂轮进行加工,从而可以有效去除粗磨阶段残留的表面损伤层,获得较好的表面状态,以满足后续工序的要求。实验总结本章通过试验分别研究了砂轮粒径砂轮轴向进给速度砂轮转速及真空吸盘转速看出,使用砂轮磨削加工后,硅片表面粗糙,氧化层错情况仍然显著。这是因为大粒径砂轮磨削后硅片表面层损伤深度较大,经过抛光去除后,表面层损伤没有完全去除。而砂轮磨削后的硅片表面氧化层错要有明显改善,可见经过响加工效率。综合考虑硅片表面质量和加工效率......”。