1、“.....由于石英坩埚在生长过程中还在析出硼,掺入磷杂质的熔液很可能在后期受析出杂质补偿影响反型。考虑到直拉棒。结语伴随着国内光伏产业发展迅猛,尤其是多晶硅产业的发展,多晶硅产能大幅提高,市场开始出现饱和迹象。在这样的市场环境下,光伏下游产业对使用的硅材料质量要求越来越高,多晶硅企业只有从细节做起,不断提高产品质量才能得以生存和发展,硅芯作为生产多晶硅的种子,其质量的好坏,尤其是硅芯的电学性能直接关乎到多晶硅的顺阻率尺寸等。切割法生产硅芯电学性能的控制原稿。氧施主对直拉硅棒电阻率的影响较大。般情况下,硅材料中的氧多以间隙形式存在,不显电活性,但在左右会聚集产生显电活性的,提供电子成为施主,影响硅材料的电学性能。硅棒中的氧施主在大于的温度下退火分钟后会消失。拉晶工艺中,硅棒生长完成后需在直拉炉内自然冷幅提高,市场开始出现饱和迹象。在这样的市场环境下......”。

2、“.....多晶硅企业只有从细节做起,不断提高产品质量才能得以生存和发展,硅芯作为生产多晶硅的种子,其质量的好坏,尤其是硅芯的电学性能直接关乎到多晶硅的顺利生产,硅芯质量的好坏决定着所产出的多晶硅品位。综上所述,硅芯质量的控切割法生产硅芯电学性能的控制原稿制分凝现象分凝现象将含有杂质的晶态物质熔化后再结晶时,杂质在结晶的固体和未结晶的液体中浓度不同的现象偏析现象。直拉棒的拉制是个动态的分凝过程,如原有浓度为的硼在原料当中存在,则将其熔化后,每拉出的固体棒料,其固态杂质浓度拉出的固体重量坩埚内杂质浓度分凝系数。最初的埚内杂质浓度等于,随后率的影响较大。般情况下,硅材料中的氧多以间隙形式存在,不显电活性,但在左右会聚集产生显电活性的,提供电子成为施主,影响硅材料的电学性能。硅棒中的氧施主在大于的温度下退火分钟后会消失。拉晶工艺中,硅棒生长完成后需在直拉炉内自然冷却至以下才能取出,这样......”。

3、“.....硅棒从炉内取硅产品质量造成影响保证生产硅芯的质量的前提下,考虑拉晶过程中分凝现象和石英坩埚渗的影响,采用切割法生产硅芯的企业多将硅芯控制为型。方面通过可靠的原料杂质分析,尽可能采用磷含量较低的高质原料进行直拉,减少硼掺入甚至不掺入。另外,通过计算确定坩埚析出硼对于产品的最终影响,设定需要进行掺杂的产品杂质上限控控制原稿。摘要切割法生产的硅芯电学性能控制难度大。不同硅芯导电类型不致,有型型和混合型,甚至同支硅芯的不同位臵导电类型也不相同硅芯电阻率不均匀,范围较大。随着多晶硅工艺的不断完善,国内生产的多晶硅质量达到定水平,硅芯质量问题不断凸显,解决切割法生产硅芯工艺的这缺点迫在眉睫。关键词切割法生产硅芯料进行直拉,减少硼掺入甚至不掺入。另外,通过计算确定坩埚析出硼对于产品的最终影响,设定需要进行掺杂的产品杂质上限控制分凝现象分凝现象将含有杂质的晶态物质熔化后再结晶时......”。

4、“.....直拉棒的拉制是个动态的分凝过程,如原有浓度为的硼在原料当中存在,则将其熔化电学性能控制措施引言机械切割硅芯时,首先采用直拉法制备定大小的多晶原料棒,而后采用线切割设备或是外圆刀片切割设备将原料棒切割成方形硅芯。外圆锯切割设备操作简单,维护成本相对较低。切割时,外圆锯的组刀片沿纵向将原料棒切成数片定厚度硅片将硅片翻转后,再延纵向切割为方形硅芯。氧施主对直拉硅棒电阻硼磷掺杂对于硅棒电阻率的影响不同。如果掺入硼,仅考虑分凝影响,则拉出的硅棒尾部电阻率为头部电阻率的至倍。而如果掺入磷,相同条件下仅考虑分凝影响,硅棒尾部电阻率为头部电阻率的至倍,整根棒子的电阻率均匀性更差。由于石英坩埚在生长过程中还在析出硼,掺入磷杂质的熔液很可能在后期受析出杂质补偿影响反型。考虑到直拉棒发后随氩气被抽走,在炉熔硅对流作用下,是的直拉硅棒中氧含量边缘低中心高的现象......”。

5、“.....造成直拉硅棒头部含氧高尾部含氧低。切割法生产硅芯电学性能的控制原稿。直拉硅棒电学性能的控制措施控制直拉硅棒的用料质量选料分两个工序,先选型号,后选电阻率。对于型原料,应使所配比原料中的硼原子总浓阻率硅芯的电阻率所对应的硼原子浓度相等对于型原料,应使所配比原料中的磷原子总浓度与目标电阻率硅芯的电阻率所对应的磷原子浓度相等。硅料的杂质浓度与电阻率的关系可根据掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程进行计算。拉晶过程中,石英坩埚会渗出杂质,污染拉晶硅料,从而对影响直拉硅棒的电学性能。另外,出后,为提高硅芯的力学性能消除氧施主,通常在硅棒加工为硅芯之前对硅棒进行退火处理,退火工艺中,硅棒在大于的温度下退火分钟,然后缓慢降温至时,迅速降至,然后缓慢降温至常温。这样既能提高直拉硅棒的力学性能,又有效的消除了硅棒中的氧施主。结语伴随着国内光伏产业发展迅猛,尤其是多晶硅产业的发展......”。

6、“.....首先采用直拉法制备定大小的多晶原料棒,而后采用线切割设备或是外圆刀片切割设备将原料棒切割成方形硅芯。外圆锯切割设备操作简单,维护成本相对较低。切割时,外圆锯的组刀片沿纵向将原料棒切成数片定厚度硅片将硅片翻转后,再延纵向切割为方形硅芯。氧施主对直拉硅棒电阻制分凝现象分凝现象将含有杂质的晶态物质熔化后再结晶时,杂质在结晶的固体和未结晶的液体中浓度不同的现象偏析现象。直拉棒的拉制是个动态的分凝过程,如原有浓度为的硼在原料当中存在,则将其熔化后,每拉出的固体棒料,其固态杂质浓度拉出的固体重量坩埚内杂质浓度分凝系数。最初的埚内杂质浓度等于,随后掺入磷,相同条件下仅考虑分凝影响,硅棒尾部电阻率为头部电阻率的至倍,整根棒子的电阻率均匀性更差。由于石英坩埚在生长过程中还在析出硼,掺入磷杂质的熔液很可能在后期受析出杂质补偿影响反型......”。

7、“.....所以掺杂时要考虑在保证还原炉能够击穿的前提下尽可能少的掺入杂质,以保证不对所生产多切割法生产硅芯电学性能的控制原稿度与目标电阻率硅芯的电阻率所对应的硼原子浓度相等对于型原料,应使所配比原料中的磷原子总浓度与目标电阻率硅芯的电阻率所对应的磷原子浓度相等。硅料的杂质浓度与电阻率的关系可根据掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程进行计算。拉晶过程中,石英坩埚会渗出杂质,污染拉晶硅料,从而对影响直拉硅棒的电学性制分凝现象分凝现象将含有杂质的晶态物质熔化后再结晶时,杂质在结晶的固体和未结晶的液体中浓度不同的现象偏析现象。直拉棒的拉制是个动态的分凝过程,如原有浓度为的硼在原料当中存在,则将其熔化后,每拉出的固体棒料,其固态杂质浓度拉出的固体重量坩埚内杂质浓度分凝系数。最初的埚内杂质浓度等于,随后纵向分布般硅棒头部氧浓度最高,随着与头部距离的增加,其氧浓度降低......”。

8、“.....边缘氧浓度最低。这种氧浓度分布是由于坩埚的污染拉晶时氧蒸发以及氧分凝效应的综合影响造成的。拉晶过程中虽然离石英坩埚壁越近氧浓度越高,但被单晶覆盖的熔硅氧不能蒸发,其余部分氧蒸发较快,蒸型,甚至同支硅芯的不同位臵导电类型也不相同硅芯电阻率不均匀,范围较大。随着多晶硅工艺的不断完善,国内生产的多晶硅质量达到定水平,硅芯质量问题不断凸显,解决切割法生产硅芯工艺的这缺点迫在眉睫。关键词切割法生产硅芯电学性能控制措施引言机械切割硅芯时,首先采用直拉法制备定大小的多晶原料棒,而后采用线切割于直拉棒在石英坩埚中生长,接触到坩埚的熔液会带来额外的杂质硼,硼在整个拉晶过程中不断的从石英坩埚壁上析出到熔液当中,增加了熔液中硼杂质的浓度。而磷则由于在的高温环境下很容易挥发,拉棒过程中同时受到挥发和分凝的影响,分凝状况下的杂质含量控制较为困难......”。

9、“.....首先采用直拉法制备定大小的多晶原料棒,而后采用线切割设备或是外圆刀片切割设备将原料棒切割成方形硅芯。外圆锯切割设备操作简单,维护成本相对较低。切割时,外圆锯的组刀片沿纵向将原料棒切成数片定厚度硅片将硅片翻转后,再延纵向切割为方形硅芯。氧施主对直拉硅棒电阻不断变化。对于在硅中分凝系数小于的杂质元素,每生长个的晶体,将导致剩余熔体中的杂质浓度增加。在生长下个的晶体时,由于熔体的杂质浓度增加了,进入晶体的杂质也增加。直拉硅棒电学性能的控制措施控制直拉硅棒的用料质量选料分两个工序,先选型号,后选电阻率。对于型原料,应使所配比原料中的硼原子总浓度与目标电硅产品质量造成影响保证生产硅芯的质量的前提下,考虑拉晶过程中分凝现象和石英坩埚渗的影响,采用切割法生产硅芯的企业多将硅芯控制为型。方面通过可靠的原料杂质分析,尽可能采用磷含量较低的高质原料进行直拉......”。