1、“.....对于封装形式较为简单的元器件,维射线检测方法可有效快速的检查出其中的缺陷。对于内部结构复杂的元器件,维射线检测结果更好。但受技术限射线形貌,可以看出在焦点中心区域的通孔图像为个圆柱体的正投影,而远离焦点中心区的通孔,由于射线是有定角度穿透通孔的,因此所成的像也是个倾斜的圆柱体投影,这个问题在检查方向尺寸较大的复杂封装器陷检测。射线检测分辨率取决于射线管尺寸,放大倍数则由射线光路几何特性决定。目前广泛使用的电子元器件射线检测国军标主要有微电子器件试验方法和程序方法半导体分立器件试验方法方法三维与二维射线无损检测技术对比分析研究原稿时检测系统,其有效的放大倍数是固定的,由检测系统的极限能力决定,不受样品尺寸变化而影响......”。

2、“.....样品需要旋转以获得多个角度的照片,因此需要给样品旋转留有足够的空间,样品最大放在检查方向尺寸较大的复杂封装器件时尤为明显,且对尺寸的测量有定的干扰。图焊球阵列陶瓷基板通孔维射线形貌而在维射线无损检测过程中,样品信息的获取是通过对旋转拍摄的多张照片重构获得的数等于射线管到探测器的距离与射线管到样品距离的比值。般情况下,射线管离样品的距离越近,离探测器的距离越远,获得的图像放大倍数越高,当样品直接放置在射线管表面时,图像的放大倍数最大。因此对于维射线件试验方法,军用电子元器件破坏性物理分析方法。三维与二维射线无损检测技术对比分析研究原稿。图像变形在维射线检测时,当需要获得较大放大倍数时,由于锥束成像的局限性,图像在方向会察到,但大部分缺陷会重叠,难以准确区分定位......”。

3、“.....对于封装形式较为简单的元器件,维射线检测方法可有效快速的检查出其中的缺陷。对于内部结构复杂生变形。图为焊球阵列陶瓷基板通孔维射线形貌,可以看出在焦点中心区域的通孔图像为个圆柱体的正投影,而远离焦点中心区的通孔,由于射线是有定角度穿透通孔的,因此所成的像也是个倾斜的圆柱体投影,这个问可见,维射线检测中,最大放大倍数受产品尺寸影响,在实际操作中,因为需要保护样品和射线管,其有效的最大放大倍数还会小于上述值。图片质量维射线检测是实时成像的,可通过软件实时调整图像的对比度锐度亮距离越近,离探测器的距离越远,获得的图像放大倍数越高,当样品直接放置在射线管表面时,图像的放大倍数最大。因此对于维射线实时检测系统......”。

4、“.....由检测系统的极限能力决定,不受样品尺是由康普顿效应产生的散射射线,它形成了噪声和图像伪影,主要表现为低频条状伪影。此外,元器件中的金属物质会引起金属伪影,这些伪影降低了断层图像中金属周围的清晰度,对断层结构的判断带来很大的困难。金属因此锥束成像变形的现象能够很好避免。射线无损检测原理及相关标准研究射线波长短,具有高空间分辨率穿透能力强的特点,对材料有广泛的适用性,由于不同材料对其吸收率存在差异,因此常被用于电子元器件内部生变形。图为焊球阵列陶瓷基板通孔维射线形貌,可以看出在焦点中心区域的通孔图像为个圆柱体的正投影,而远离焦点中心区的通孔,由于射线是有定角度穿透通孔的,因此所成的像也是个倾斜的圆柱体投影,这个问时检测系统,其有效的放大倍数是固定的......”。

5、“.....不受样品尺寸变化而影响。在维射线检测中,样品需要旋转以获得多个角度的照片,因此需要给样品旋转留有足够的空间,样品最大放于复杂封装,有些缺陷在垂直样品方向无法暴露,需要倾斜探测器才能观察到,但大部分缺陷会重叠,难以准确区分定位。表维射线无损检测系统与维射线实时检测系统对比分析放大倍数在维射线检测中,样品的放大三维与二维射线无损检测技术对比分析研究原稿变化而影响。在维射线检测中,样品需要旋转以获得多个角度的照片,因此需要给样品旋转留有足够的空间,样品最大放大倍数理论值应为其中为样品台到探测器的距离为样品或夹具半径取大时检测系统,其有效的放大倍数是固定的,由检测系统的极限能力决定,不受样品尺寸变化而影响。在维射线检测中,样品需要旋转以获得多个角度的照片......”。

6、“.....样品最大放损检测技术对比分析研究原稿。表维射线无损检测系统与维射线实时检测系统对比分析放大倍数在维射线检测中,样品的放大倍数等于射线管到探测器的距离与射线管到样品距离的比值。般情况下,射线管离样品性物理分析方法。三维与二维射线无损检测技术对比分析研究原稿。可见,维射线检测中,最大放大倍数受产品尺寸影响,在实际操作中,因为需要保护样品和射线管,其有效的最大放大倍数还会小于上述值。图体可导致射束硬化部分容积或使数据采集电子设备工作超出动态范围而引起伪影。金属伪影形状随着金属物体的形状和密度不同而变化。金属伪影主要表现为大投影数据引起的从金属区域发出的条状伪影。三维与二维射线生变形。图为焊球阵列陶瓷基板通孔维射线形貌......”。

7、“.....而远离焦点中心区的通孔,由于射线是有定角度穿透通孔的,因此所成的像也是个倾斜的圆柱体投影,这个问倍数理论值应为其中为样品台到探测器的距离为样品或夹具半径取大值。散射伪影是锥形束射线的常见问题。射线在成像过程中到达探测器的射线分为两部分,种是初始射线,它形成正确的图像,另数等于射线管到探测器的距离与射线管到样品距离的比值。般情况下,射线管离样品的距离越近,离探测器的距离越远,获得的图像放大倍数越高,当样品直接放置在射线管表面时,图像的放大倍数最大。因此对于维射线亮度以及电压电流等参数,以获得最优的图像。通过倾斜探测器,可以以定角度观察样品,但是当样品需要获得较大放大倍数时,有效观察角度变小。对于复杂封装,有些缺陷在垂直样品方向无法暴露......”。

8、“.....可通过软件实时调整图像的对比度锐度亮度以及电压电流等参数,以获得最优的图像。通过倾斜探测器,可以以定角度观察样品,但是当样品需要获得较大放大倍数时,有效观察角度变小。三维与二维射线无损检测技术对比分析研究原稿时检测系统,其有效的放大倍数是固定的,由检测系统的极限能力决定,不受样品尺寸变化而影响。在维射线检测中,样品需要旋转以获得多个角度的照片,因此需要给样品旋转留有足够的空间,样品最大放制,维射线检测技术在检测速度伪影处理等方面还需进步研究。参考文献,微电子器件试验方法和程序,半导体分立器件试验方法,电子及电气元件试验方法,军用电子元器件破数等于射线管到探测器的距离与射线管到样品距离的比值。般情况下,射线管离样品的距离越近,离探测器的距离越远......”。

9、“.....当样品直接放置在射线管表面时,图像的放大倍数最大。因此对于维射线时尤为明显,且对尺寸的测量有定的干扰。图焊球阵列陶瓷基板通孔维射线形貌而在维射线无损检测过程中,样品信息的获取是通过对旋转拍摄的多张照片重构获得的,因此锥束成像变形的现象能够很好避电子及电气元件试验方法方法及军用电子元器件破坏性物理分析方法。图像变形在维射线检测时,当需要获得较大放大倍数时,由于锥束成像的局限性,图像在方向会发生变形。图为焊球阵列陶瓷基板通孔因此锥束成像变形的现象能够很好避免。射线无损检测原理及相关标准研究射线波长短,具有高空间分辨率穿透能力强的特点,对材料有广泛的适用性,由于不同材料对其吸收率存在差异,因此常被用于电子元器件内部生变形。图为焊球阵列陶瓷基板通孔维射线形貌......”。