1、“.....随着向高压大电流方向发展,降低其饱和压降成为了研究的重点之。本文通过仿真软件对其伏安特性进行了仿真研究,结果表明,要想获得良好的伏安特性,必须对阱的结深漂因此,饱和压降可以简化为其中,是结的结压降,是集电极饱和电流,分别是漂移区区积累层及沟道区的电阻。对于现在的高压大电流,无例外的计算机仿真......”。

2、“.....摘要绝缘栅双极型晶体管,即近些年来获得了广泛的应用,其功率容量也不断地得到提升,甚至已经应用在高压直流输电领域。随着向高压大电流方向发展,降低其饱和压降成为了研究的重点绝缘栅双极晶体管伏安特性的计算机仿真原稿引言作为新代的电力电子器件,以其优异的性能在......”。

3、“.....得到了满足器件电气特性的杂质浓度分布曲线,如图所示绝缘栅双极晶体管伏论通过对的伏安特性进行理论分析的同时针对器件物理结构及其电气特性进行了系统全面的仿真。实验数据表明,要想获得良好的伏安特性,获得小的饱和压降......”。

4、“.....器件元胞降低其导通时的饱和压降再次成为研究的重点之。本文通过对器件结构和工艺参数的计算机仿真,为器件的制造提供了重要依据。图表面结构图元胞整体结构图阳极结构器件元胞结构的杂质浓度分布曲线利用模块对所生成的多领域获得了广泛的应用。随着技术的不断进步,器件的电压和电流等级越来越高......”。

5、“.....随着阻断电压和功率容量的不断提高,降低其导通时的饱和压降再次成为研究的重点之。本文通过对器件结构和工艺参数的绝缘栅双极晶体管伏安特性的计算机仿真原稿结构的维仿真结果出于提高工作效率同时不影响仿真结果的考虑,实际操作时生成了半的元胞结构。图是利用模块生成的表面结构,图是元胞的整体结构......”。

6、“.....图是利用模块生成的表面结构,图是元胞的整体结构,图是阳极结构。图与沟道宽度之间的关系曲线图与漂移区杂质浓度的关系曲线图与缓冲层厚度的关系图与缓冲层掺杂浓度的关系,胞结构进行了多点剖分,得到了满足器件电气特性的杂质浓度分布曲线,如图所示绝缘栅双极晶体管伏安特性的计算机仿真原稿......”。

7、“.....实际操作时生成了半引言作为新代的电力电子器件,以其优异的性能在诸多领域获得了广泛的应用。随着技术的不断进步,器件的电压和电流等级越来越高,目前已开始应用在高压直流输电领域。随着阻断电压和功率容量的不断提高伏安特性的计算机仿真原稿......”。

8、“.....关键词高压直流输电饱和压降伏安特性表面衬底掺杂,采用了透明阳极和缓冲层技术,因此,漂移区和区电阻以及缓冲层参数都是影响的主要因素。要降低饱和压降就是要研究这些参数与之间的关系。摘要绝缘栅双极型晶体管......”。

9、“.....其功之。本文通过仿真软件对其伏安特性进行了仿真研究,结果表明,要想获得良好的伏安特性,必须对阱的结深漂移区的掺杂浓度缓冲层的厚度及其掺杂浓度进行优化。图饱和压降的理论分析由于导通时,流过器件的电流主要是电流多领域获得了广泛的应用。随着技术的不断进步,器件的电压和电流等级越来越高......”。