1、“.....并获得了预期效果。集成电路具有臵,利用显微红外热像仪进行了红外热成像检查,获得的结果如图图所示。图混频器间端口直流电特性直流电偏臵状态下,图所示合格品间的两只电容红外热成像温度未见明显变化,可以认为电容不发热,无电流通过图所示失效品间的两只电容红外基本的工艺过程。通过对芯片整体形貌的解读可知,失效品采用了图所示的典型极管双平衡型无源混频器电路结构,为了避免射频信号互感及耦合效应使分析问题复杂化,故对端口存在异常的线路进步简化获得的直流等效电路如图所示。图中失效品间直流电特性测试结和显微红外热成像定位方法分析微波单片混频器失效时,可以只做与失效相关的端口直流电路原理图还原,根据原理图和测试结果,初步判断失效的部位与现象,进而为下步定位,并取得预期效果。参考文献关于芯片失效分析方法的讨论黄美莲信息通信浅谈元器件失效分析在质量问题归微波单片集成电路研究吴玲欣原稿析项目......”。

2、“.....微波单片集成电路研究吴玲欣原稿。诊断测试检查失效混频器功能性测试不满足器件手册规定要求,为微波单片集成电路研究吴玲欣原稿。结论与分析通过以上检查和分析,认为该微波单片混频器失效为电容对地短路所致。造成电容对地短路的原因应为过电应力引起的电容击穿。失效电容表面观察未见明显异常,说明导致电容击穿的能量较小。因此,混频器失效应为静电放电损伤或其级失效机理的复杂程度失效器件的重要性实验室硬件条件委托单位要求和成本等诸多因素来选择。半导体集成电路失效分析程序和方法给出了集成电路的种等级的失效分析程序供分析人员选择。本文选择了基本的失效分析程序和方法,并在此基础上根据实际失效情况,增加了个别分片整体形貌还原获得。用版图还原必须要识别版图了解基本的工艺过程......”。

3、“.....失效品采用了图所示的典型极管双平衡型无源混频器电路结构,为了避免射频信号互感及耦合效应使分析问题复杂化,故对端口存在异常的线路进步简化获得的直流等效电路法。因此,通过读取芯片版图结构来还原电路原理图则成为可能。失效定位检测分别对合格品失效品可疑端口施加直流偏臵,利用显微红外热像仪进行了红外热成像检查,获得的结果如图图所示。图混频器间端口直流电特性直流电偏臵状态下,图所示合格品如图所示。图中失效品间直流电特性测试结果为低阻导通特性,而非合格品所示的开路特性,说明两个电容至少有只发生短路图中失效品间直流电特性测试结果为低阻导通特性,而非合格品所示的肖特基结特性,说明并联的极管电容中至少有只也发生了短路现象。由于失效混频器端口直流电特性测试结果显示为短路或低阻导通特性,考虑到显微红外热像仪拥有空间分辨率温度灵敏度的分析能力,在技术上满足了失效定位的需求......”。

4、“.....利用显微红外热像仪对样品进行了失效点定位,并获得了预期效果。集成电路具有,分析应该进行到什么阶段结束,失效分析人员应根据器件的可靠性等级失效机理的复杂程度失效器件的重要性实验室硬件条件委托单位要求和成本等诸多因素来选择。半导体集成电路失效分析程序和方法给出了集成电路的种等级的失效分析程序供分析人员选择。本文选择了基本的端口合格品表现为开路状态,失效品则表现为低阻导通特性阻值约为端口合格品表现为典型的肖特基结特性,而失效品则表现为低阻导通特性阻值约为。因此,初步判断失效品端口存在异常。图典型双平衡混合电路等效原理图粒子碰撞噪声检测粒子碰撞噪声检测窄脉冲电压所致。借助显微红外热成像的方法,对于分析端口呈现低阻导通的微波电路失效来说,是种行之有效的失效定位手段。如果委托单位需进步分析,还可以利用聚焦离子束对定位的失效点开展进步的剖面分析和电镜检查工作。综上所述......”。

5、“.....图中失效品间直流电特性测试结果为低阻导通特性,而非合格品所示的开路特性,说明两个电容至少有只发生短路图中失效品间直流电特性测试结果为低阻导通特性,而非合格品所示的肖特基结特性,说明并联的极管电容中至少有只也发生了短路现象。析项目,主要的工作项目有失效发生情况调查电参数测试非功能测试数据核对外观镜检失效模式分类射线照相干燥处理电测试解剖精密观察内部情况显微红外热成像分析。微波单片集成电路研究吴玲欣原稿。诊断测试检查失效混频器功能性测试不满足器件手册规定要求,为程序微电子器件试验方法和程序方法微电路的失效分析程序均对失效分析方法和程序元器件失效分析管理要求以及型号元器件质量保证失效分析要求均进行了相关规定和要求。失效分析选择什么样的分析程序,分析应该进行到什么阶段结束,失效分析人员应根据器件的可靠性等微波单片集成电路研究吴玲欣原稿失效分析程序和方法......”。

6、“.....增加了个别分析项目,主要的工作项目有失效发生情况调查电参数测试非功能测试数据核对外观镜检失效模式分类射线照相干燥处理电测试解剖精密观察内部情况显微红外热成像分析。微波单片集成电路研究吴玲欣原稿析项目,主要的工作项目有失效发生情况调查电参数测试非功能测试数据核对外观镜检失效模式分类射线照相干燥处理电测试解剖精密观察内部情况显微红外热成像分析。微波单片集成电路研究吴玲欣原稿。诊断测试检查失效混频器功能性测试不满足器件手册规定要求,为体集成电路失效分析程序和方法半导体分立器件失效分析方法和程序微电子器件试验方法和程序方法微电路的失效分析程序均对失效分析方法和程序元器件失效分析管理要求以及型号元器件质量保证失效分析要求均进行了相关规定和要求。失效分析选择什么样的分析程序外热像仪对样品进行了失效点定位,并获得了预期效果。集成电路具有体积小集成度高的特点......”。

7、“.....且多采用多层布线设计。在进行集成电路的失效分析时,如果要查明失效原因,往往需要获得产品的电路原理图。但是,微波单片电路用来检测失效品腔体内部是否存在可动多余物,多余物的存在不仅可造成电路短路,些情况下还会改变封装腔体内部的电磁场分布,从而对射频微波信号产生影响,这故障通过直流电特性测试则无法排除。开展军用电子元器件失效分析可依据和参考的标准和方法较多,半导如图所示。图中失效品间直流电特性测试结果为低阻导通特性,而非合格品所示的开路特性,说明两个电容至少有只发生短路图中失效品间直流电特性测试结果为低阻导通特性,而非合格品所示的肖特基结特性,说明并联的极管电容中至少有只也发生了短路现象。进步发现问题和定位失效端口,采取了对比测试的方法,既选取只电性能合格的样品,分别测试合格品和失效品射频中频和本振间的端口直流电特性,然后作对比分析。混频器端口直流电特性测试结果如图图所示......”。

8、“.....级失效机理的复杂程度失效器件的重要性实验室硬件条件委托单位要求和成本等诸多因素来选择。半导体集成电路失效分析程序和方法给出了集成电路的种等级的失效分析程序供分析人员选择。本文选择了基本的失效分析程序和方法,并在此基础上根据实际失效情况,增加了个别分有体积小集成度高的特点,在线路和版图设计时很少采用占用面积大的电感电容元件,且多采用多层布线设计。在进行集成电路的失效分析时,如果要查明失效原因,往往需要获得产品的电路原理图。但是,微波单片电路为了减少寄生效应,在版图设计时往往避免或减少采用多层布线的方为了减少寄生效应,在版图设计时往往避免或减少采用多层布线的方法。因此,通过读取芯片版图结构来还原电路原理图则成为可能。开展军用电子元器件失效分析可依据和参考的标准和方法较多,半导体集成电路失效分析程序和方法半导体分立器件失效分析方法和微波单片集成电路研究吴玲欣原稿析项目......”。

9、“.....微波单片集成电路研究吴玲欣原稿。诊断测试检查失效混频器功能性测试不满足器件手册规定要求,为成像图则明显存在高温现象,故认为两只电容均存在异常。由于失效混频器端口直流电特性测试结果显示为短路或低阻导通特性,考虑到显微红外热像仪拥有空间分辨率温度灵敏度的分析能力,在技术上满足了失效定位的需求,故在样品开封精密检测内部情况后,利用显微红级失效机理的复杂程度失效器件的重要性实验室硬件条件委托单位要求和成本等诸多因素来选择。半导体集成电路失效分析程序和方法给出了集成电路的种等级的失效分析程序供分析人员选择。本文选择了基本的失效分析程序和方法,并在此基础上根据实际失效情况,增加了个别分果为低阻导通特性,而非合格品所示的开路特性......”。