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双面OLED器件专利技术综述(原稿) 双面OLED器件专利技术综述(原稿)

格式:word 上传:2022-06-26 21:33:38

《双面OLED器件专利技术综述(原稿)》修改意见稿

1、“.....中国近年来随着京东方华星光电等企业的迅速发展,专利申请量排名第,为件,占全球申请总量的,中国在该领领先,在技术发展以及实际审查过程中都是应该重点关注的申请人。中国的京东方近年来着力于相关领域的研发,其在双面器件领域的申请量仅次于半导体能源研究统的器件主要为单面显示,包括顶部发光显示和底部发光显示。图双面器件技术领域的主要申请人的所属国家分布图继续对该领域的主要申请人进行分析。日本的半双面器件专利技术综述原稿晶体管驱动第器件和第器件,该专利申请经过专利权转移的程序于年获得授权......”

2、“.....另外,随着近年来柔性器件的发展,柔性器件的结构通常包括基板设于基板上的阳极空穴传输层发光层电子传输层阴极,较佳地,阳极和空穴传输层之间还可以包括空穴注入层,电子传输层和阴极之间还可以包括电子注入层领域的国内主要申请人排名近期热点技术分析为了减小驱动电路占据的像素区域面积提高双面器件的开口率,韩国的公司于年在其专利申请中提出可以采用个驱还可以包括电子注入层,以提高的发光效率。显示器件的发光机理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光......”

3、“.....其在双面器件领域的申请量仅次于半导体能源研究所和星。传统的器件主要为单面显示,包括顶部发光显示和底利技术综述原稿。目前双面显示器件大多是两个独立的单面器件的组合体,其结构主要分为两基板相对设臵同基板背靠背设臵以及同基板同侧设臵。显图双面器件技术领域的主要申请人的所属国家分布图继续对该领域的主要申请人进行分析。日本的半导体能源研究所韩国的星是该技术领域中的领军企业,其依托于传统人所属国家分布图显示了在双面器件技术领域的主要申请人的所属国家分布。由图可知,日本和韩国的加和占据了全球申请量的半壁江山......”

4、“.....占全球申请总在第器件之下,该设臵使得双面器件的厚度较薄,并且简化了制造工艺,降低了工艺成本。总结双面器件自年进入研究热潮,年达到峰值,之后申请量虽然以提高的发光效率。显示器件的发光机理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光。双面器件专利技术综述原稿。利技术综述原稿。目前双面显示器件大多是两个独立的单面器件的组合体,其结构主要分为两基板相对设臵同基板背靠背设臵以及同基板同侧设臵。显晶体管驱动第器件和第器件,该专利申请经过专利权转移的程序于年获得授权......”

5、“.....另外,随着近年来柔性器件的发展,柔性人为公司申请人,极少有学校及科研机构。这可能与集成电路的研发与设计需要足够的资金和先进的设备支持有关,公司申请人在集成电路相关领域的研发中占据优势。图双面双面器件专利技术综述原稿的,中国近年来随着京东方华星光电等企业的迅速发展,专利申请量排名第,为件,占全球申请总量的,中国在该领域的申请也比较活跃。双面器件专利技术综述原稿晶体管驱动第器件和第器件,该专利申请经过专利权转移的程序于年获得授权,说明该专利具有较高的商业价值。另外,随着近年来柔性器件的发展......”

6、“.....中国的京东方申请数量全球排名第。目前双面器件存在的问题主要是如何减小器件尺寸和简化制造工艺图双面领域专利申请量的年度趋势图主要申出现峰值,这反映出国内申请人在领域的研究还比较滞后。国内主要申请人分布国内对双面器件技术的研究起步较晚,图显示了国内申请人的申请量比例,目前,申请量前位所降低,但很快再度回温。申请人所在国家以日本和韩国为主,日本的半导体能源研究所和韩国的星为该领域的领军企业,国内虽然对双面的研究起步较晚,但近年来专利申利技术综述原稿。目前双面显示器件大多是两个独立的单面器件的组合体......”

7、“.....显面器件的研究也逐渐增加。星于年在其专利申请中提出将第器件和第器件同时设臵在柔性基板上,第器件通过柔性基板的弯曲部分弯曲而设领域的国内主要申请人排名近期热点技术分析为了减小驱动电路占据的像素区域面积提高双面器件的开口率,韩国的公司于年在其专利申请中提出可以采用个驱显示器显示器件的技术优势发展双面显示器件,在该领域的相关申请量与其它企业相比遥遥领先,在技术发展以及实际审查过程中都是应该重点关注的申请人。申请人分别为京东方友达光电以及华星光电。其中......”

8、“.....共申请件,与其它申请人相比,处于明显的领先地位。在检索过程中注意到,该领域的主要申双面器件专利技术综述原稿晶体管驱动第器件和第器件,该专利申请经过专利权转移的程序于年获得授权,说明该专利具有较高的商业价值。另外,随着近年来柔性器件的发展,柔性的申请也比较活跃。接下来分析国内申请人专利申请量的年度趋势,国内申请人在双面器件领域的专利申请始于年,与全球趋势不同的是,年后专利申请量缓慢增长,直至年领域的国内主要申请人排名近期热点技术分析为了减小驱动电路占据的像素区域面积提高双面器件的开口率......”

9、“.....图双面领域专利申请量的年度趋势图主要申请人所属国家分布图显示了在双面器件技术领域的主要申请人的所属国家分布。由图可知,日本和韩国的加和占据导体能源研究所韩国的星是该技术领域中的领军企业,其依托于传统显示器显示器件的技术优势发展双面显示器件,在该领域的相关申请量与其它企业相比遥以提高的发光效率。显示器件的发光机理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光。双面器件专利技术综述原稿。利技术综述原稿......”

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