1、“.....只去除焊盘下方的以增强金属电极与的黏附性,而保留其他部的芯片,圆孔直径约。样品是在层制作优化设计的微结构阵列的芯片,其中大圆孔直径约,小圆孔直径约。与图和所示的光刻掩模版相比。实际制备得到的圆孔尺寸略有增加,这是因为湿法腐蚀时间过长导致的。器件测试结果采用配有半积分球的全自动晶圆点测机型号对上述组样品的光学参数和电学参数进行测试。在输入电流相同型层个周期的多量子阱有源层的型电子阻挡层和的掺杂型层。芯片制备过程如下首先采用刻蚀出型台面结构,通过沉积厚度为的作为电流阻挡层接着电子束蒸镀厚度为的作为透明导电层,分别应用如图所示的块光刻掩模板,通过普通光刻技术和蚀刻液湿法腐蚀出相应热量。而样品的出光效率随输入电流的增加而下降的趋势较为缓慢更适合在大电流下工作。参考文献张英,关于表面粗化提高基芯片出光效率刘东平,表面粗化提高基芯片出光效率的分析......”。

2、“.....图表面粗化提高基芯片出光效率原稿,则中主波长的光学长度约为。为在上实现级别的粗化在上旋涂聚苯乙烯纳米球悬浮液。采用旋涂纳米粒子分散液技术采用氩离子激光全息光刻技术,采用纳米压印技术。但是,这些技术在产业界都尚未成熟。概述对于传统正装基芯片而言,的粗化通常采用感应耦合等离子刻蚀。由于层般仅的情况下,相比样品,样品与样品的正向电压都有所升高而且样品正向电压升高的幅度较大。这说明在层制备微结构,减小的有效面积,将增大芯片的串联电阻,恶化芯片的电学性能。优化设计后的样品具有更优的电流扩散能力,粗化引起的电压上升的幅度也较小。输入电流为时组样品的正向电压输出光功率。和主波长。相比样品但是要求制备电极,对大批量生产不利。由于的掺杂浓度较低,电阻值较大,通常在表面沉积层氧化铟锡薄膜作为电流扩展层。因此......”。

3、“.....当光波长与微结构的尺寸在同数量级时。微结构对出光效率的提升最为显著。的折射率约为,蓝光的主波长典型值导致的表面粗化提高基芯片出光效率原稿。参考文献张英,关于表面粗化提高基芯片出光效率刘东平,表面粗化提高基芯片出光效率的分析。器件测试结果采用配有半积分球的全自动晶圆点测机型号对上述组样品的光学参数和电学参数进行测试。在输入电流相同的情况下,相比无粗化的接着电子束蒸镀厚度为的作为透明导电层,分别应用如图所示的块光刻掩模板,通过普通光刻技术和蚀刻液湿法腐蚀出相应结构,并在氮气环境条件下退火然后电子束蒸镀金属薄膜并结合剥离技术制备电极和电极随后沉积的作为钝化层对蓝宝石衬底研磨抛光后,经切割裂片工艺制备成单颗芯片。采用块光品,具有表面微结构的样品与样品的输出光功率都有所提升。这说明表面微结构能有效地提高芯片的输出光功率......”。

4、“.....值得注意的是,输入电流较小时。样品的输出光功率较大输入电流较大时,样品的输出光功率较大。另方面,在输入电流相图用表面粗化的块此刻掩模板普通平面结构密集分布的角周期圆孔阵列结构优化设计的表面微结构与图中的圆孔相比,图中圆孔直径较大,主要是考虑提高层的透光率而圆心间距较大,主要是考虑提高的有效面积,增强电流扩散效应在电极附近区域,只去除焊盘下方的以增强金属电极与的黏附性,而保留其他部幅度较大。这说明在层制备微结构,减小的有效面积,将增大芯片的串联电阻,恶化芯片的电学性能。优化设计后的样品具有更优的电流扩散能力,粗化引起的电压上升的幅度也较小。输入电流为时组样品的正向电压输出光功率。和主波长。相比样品样品的输出光功率提升。正向电压升高样品的输出光功率提升,正向电压仅长与微结构的尺寸在同数量级时。微结构对出光效率的提升最为显著。的折射率约为,蓝光的主波长典型值为......”。

5、“.....为在上实现级别的粗化在上旋涂聚苯乙烯纳米球悬浮液。采用旋涂纳米粒子分散液技术采用氩离子激光全息光刻技术,采用纳米压印技术。但是,这些技术在产业界都尚未成熟样品的输出光功率提升。正向电压升高样品的输出光功率提升,正向电压仅升高。相比样品,样品的输出光功率有所下降,但也较好地抑制了正向电压的升高。样品的出光效率随输入电流的增加而下降较快,即芯片发光效率的衰减严重当输入电流大于时,样品的出光效率已经小于样品,这说明由于电流拥挤效应,较大部分的能量已经转化品,具有表面微结构的样品与样品的输出光功率都有所提升。这说明表面微结构能有效地提高芯片的输出光功率,其原因是表面微结构可减少与空气分界面材料与分界面光线发生全反射的几率。值得注意的是,输入电流较小时。样品的输出光功率较大输入电流较大时,样品的输出光功率较大。另方面,在输入电流相,则中主波长的光学长度约为......”。

6、“.....采用旋涂纳米粒子分散液技术采用氩离子激光全息光刻技术,采用纳米压印技术。但是,这些技术在产业界都尚未成熟。概述对于传统正装基芯片而言,的粗化通常采用感应耦合等离子刻蚀。由于层般仅应,较大部分的能量已经转化为热量。而样品的出光效率随输入电流的增加而下降的趋势较为缓慢更适合在大电流下工作。概述对于传统正装基芯片而言,的粗化通常采用感应耦合等离子刻蚀。由于层般仅左右,刻蚀容易产生等离子损伤。目前唯可以在室温下对进行湿法蚀刻的技术是光辅助电化学腐蚀,表面粗化提高基芯片出光效率原稿高。相比样品,样品的输出光功率有所下降,但也较好地抑制了正向电压的升高。样品的出光效率随输入电流的增加而下降较快,即芯片发光效率的衰减严重当输入电流大于时,样品的出光效率已经小于样品,这说明由于电流拥挤效应,较大部分的能量已经转化为热量......”。

7、“.....则中主波长的光学长度约为。为在上实现级别的粗化在上旋涂聚苯乙烯纳米球悬浮液。采用旋涂纳米粒子分散液技术采用氩离子激光全息光刻技术,采用纳米压印技术。但是,这些技术在产业界都尚未成熟。概述对于传统正装基芯片而言,的粗化通常采用感应耦合等离子刻蚀。由于层般仅面微结构能有效地提高芯片的输出光功率,其原因是表面微结构可减少与空气分界面材料与分界面光线发生全反射的几率。值得注意的是,输入电流较小时。样品的输出光功率较大输入电流较大时,样品的输出光功率较大。另方面,在输入电流相同的情况下,相比样品,样品与样品的正向电压都有所升高而且样品正向电压升高较大。另方面,在输入电流相同的情况下,相比样品,样品与样品的正向电压都有所升高而且样品正向电压升高的幅度较大。这说明在层制备微结构,减小的有效面积,将增大芯片的串联电阻,恶化芯片的电学性能。优化设计后的样品具有更优的电流扩散能力......”。

8、“.....输入电流为时组样品的正向电压输出光表面粗化提高基芯片出光效率原稿表面粗化提高基芯片出光效率原稿。器件测试结果采用配有半积分球的全自动晶圆点测机型号对上述组样品的光学参数和电学参数进行测试。在输入电流相同的情况下,相比无粗化的样品,具有表面微结构的样品与样品的输出光功率都有所提升。这说明品,具有表面微结构的样品与样品的输出光功率都有所提升。这说明表面微结构能有效地提高芯片的输出光功率,其原因是表面微结构可减少与空气分界面材料与分界面光线发生全反射的几率。值得注意的是,输入电流较小时。样品的输出光功率较大输入电流较大时,样品的输出光功率较大。另方面,在输入电流相左右,刻蚀容易产生等离子损伤。目前唯可以在室温下对进行湿法蚀刻的技术是光辅助电化学腐蚀,但是要求制备电极,对大批量生产不利。由于的掺杂浓度较低,电阻值较大,通常在表面沉积层氧化铟锡薄膜作为电流扩展层。因此......”。

9、“.....当光但是要求制备电极,对大批量生产不利。由于的掺杂浓度较低,电阻值较大,通常在表面沉积层氧化铟锡薄膜作为电流扩展层。因此,目前对传统正装基芯片表面粗化的研究主要集中在粗化上。当光波长与微结构的尺寸在同数量级时。微结构对出光效率的提升最为显著。的折射率约为,蓝光的主波长典型值部分以增强电流的扩散效应。选取的外延片结构自下而上分别为蓝宝石衬底厚度为的缓冲层的非故意掺杂层的掺杂型层个周期的多量子阱有源层的型电子阻挡层和的掺杂型层。芯片制备过程如下首先采用刻蚀出型台面结构,通过沉积厚度为的作为电流阻挡率。和主波长。相比样品样品的输出光功率提升。正向电压升高样品的输出光功率提升,正向电压仅升高。相比样品,样品的输出光功率有所下降,但也较好地抑制了正向电压的升高。样品的出光效率随输入电流的增加而下降较快,即芯片发光效率的衰减严重当输入电流大于时......”。