1、“.....这样可能在多晶硅熔化过程就已经挥发殆电阻率及轴向均匀性俱佳的重掺磷直拉硅单晶参考文献黄笑容,杨德仁,重掺杂直拉硅单晶氧沉淀及其诱生次缺陷,半导体学报,第卷第期,白申兰,高艳杰硅中磷的挥发速度系数的测定河北大学学报自然科学版,第卷,第期,。挥发出来的总量与外加压力和挥发总时长直接关联。试验结果也印证了当掺杂浓度达到时,挥发起主导作用,分凝效应退居其次。总结重掺磷硅单晶的电阻率控制难度很大,且最终硅单晶电阻率的轴向分布不遵从正常的分凝原理,无法按照常规的分凝理论进行电阻率预估。实验表明在掺杂剂含量接近饱都随着气体的循环带出了炉腔,并且部分冷却后残存在排气管道内壁里。第是掺杂过程受磷元素在硅中饱和度的影响,达到饱和临界值时将无法进步进入硅熔体。磷在硅熔体中的饱和度为左右,按照这个计算......”。

2、“.....因为在定温度和真空条件下,单位时间内从熔体中蒸发出的杂质数量与熔体表面积以及熔体中的杂质浓度成正比,通常情况下,上述参量之间的关系可用公式表示。实验方法本实验的单晶生长设备为国产型直拉硅单晶炉,多晶硅原料的称重采用由计量站有效计量过的仪器称重并进行质量控制,晶电阻率控制技术研究原稿。通过对挥发原理的分析,对应试验结果,炉内压力和生长时间是影响挥发总量的两个主要因素,可以确定,当磷浓度达到或接近在硅中的饱和浓度时,挥发起主要作用对照表和表的试验过程和测量情况,重掺磷直拉硅单晶的拉制过程,与已经很成熟的分凝理论并不吻合,个别炉次,杂质的掺入效率以及单晶头尾电阻率的变化与炉内压力与单晶生长时长关系明显,这种现象主要是由杂质磷的挥发引起的。由于单晶拉制过程中,气液相之间处于非平衡状态,杂质的挥发变得更为容易......”。

3、“.....本实验为为硅单晶密度,本实杂质磷的挥发引起的。由于单晶拉制过程中,气液相之间处于非平衡状态,杂质的挥发变得更为容易。杂质元素的挥发往往会造成熔体中杂质含量的变化。在真空条件下杂质元素的挥发程度通常用蒸发系数表示。因为在定温度和真空条件下,单位时间内从熔体中蒸发出的杂质数量与熔体表面积以及熔体中所生长的重掺磷硅单晶密度依然按照硅的密度计算,没有考虑磷掺杂对密度的影响为磷原子在硅中的原子浓度,按照国标掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程,按照电阻率值查表得到为磷原子的摩尔质量,本文是按照计算的,没有考虑其他同位素的存在为阿伏伽德罗常数......”。

4、“.....多晶硅原料的称重采用由计量站有效计量过的仪器称重并进行质量控制,掺杂剂为高纯红磷,称重使用精度为的物理天平量取。由于红磷的高温挥发性很强,所以不能将磷粉同多晶硅起装入石英坩埚中加热,这样可能在多晶硅熔化过程就已经挥发殆晶的电阻率的数据中可以看出,电阻率并没有遵循现有的分凝理论。关键词直拉硅单晶,重掺磷,电阻率引言电阻率小于的型硅单晶材料属于小众型特殊规格电子材料,目前仅些高端的小型化智能化功率器件上有应用,市场上该种产品很少。受限于型杂质在硅单晶中的固溶度和组分过冷现象,在的为后掺杂,即多晶硅融化后再进行掺杂。关键词直拉硅单晶,重掺磷,电阻率引言电阻率小于的型硅单晶材料属于小众型特殊规格电子材料,目前仅些高端的小型化智能化功率器件上有应用,市场上该种产品很少。受限于型杂质在硅单晶中的固溶度和组分过冷现象......”。

5、“.....在相同的测试条件下,我们不考虑测试误差,出现这种现象的原因主要有方面第是红磷没有能够掺进去。即红磷在从副室进入主室以及距熔硅液面由近及远的过程中,由于外部压力不够大,很大部分升华成磷蒸汽,磷蒸汽只有很少部分通过扩散的方式进入硅熔液中,多所生长的重掺磷硅单晶密度依然按照硅的密度计算,没有考虑磷掺杂对密度的影响为磷原子在硅中的原子浓度,按照国标掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程,按照电阻率值查表得到为磷原子的摩尔质量,本文是按照计算的,没有考虑其他同位素的存在为阿伏伽德罗常数。重掺磷直拉硅单。因为在定温度和真空条件下,单位时间内从熔体中蒸发出的杂质数量与熔体表面积以及熔体中的杂质浓度成正比,通常情况下,上述参量之间的关系可用公式表示。实验方法本实验的单晶生长设备为国产型直拉硅单晶炉,多晶硅原料的称重采用由计量站有效计量过的仪器称重并进行质量控制......”。

6、“.....没有考虑磷掺杂对密度的影响为磷原子在硅中的原子浓度,按照国标掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程,按照电阻率值查表得到为磷原子的摩尔质量,本文是按照计算的,没有考虑其他同位素的存在为阿伏伽德罗常数。从电阻率判断杂质掺入情重掺磷直拉硅单晶电阻率控制技术研究原稿阻率范围内般选用重掺砷硅单晶,在电阻率低于的电阻率范围内只能用重掺磷硅单晶。这种电阻率范围重掺磷单晶中磷的掺入量已接近其掺杂极限,由于磷的蒸汽压相当大,磷在熔化及晶体生长过程中会从液面大量挥发掉,导致电阻率上浮,电阻率控制极其困难。重掺磷直拉硅单晶电阻率控制技术研究原稿。因为在定温度和真空条件下,单位时间内从熔体中蒸发出的杂质数量与熔体表面积以及熔体中的杂质浓度成正比,通常情况下,上述参量之间的关系可用公式表示。实验方法本实验的单晶生长设备为国产型直拉硅单晶炉......”。

7、“.....了个炉次,生长单晶直径均为英寸,晶向均为方向,原始多晶投料全部为,工艺条件其他变量及头尾电阻率测试情况如表所示。开炉总时长为从杂质掺入至停炉整个过程所用的总时间。表试验工艺条件及结果炉号投料量掺磷量炉内压力开炉总时长头部电阻率尾部电阻率从表生长,。表为杂质磷掺入量的理论计算情况和实际情况对比,单晶生长前目标电阻率为,理论掺入量是根据目标电阻率计算得到,我们用头部电阻率对应的杂质浓度来表征硅熔体内初始掺入磷杂质的浓度。每炉的多晶硅投入量为,。表杂质磷掺入量硅单晶,在电阻率低于的电阻率范围内只能用重掺磷硅单晶。这种电阻率范围重掺磷单晶中磷的掺入量已接近其掺杂极限,由于磷的蒸汽压相当大,磷在熔化及晶体生长过程中会从液面大量挥发掉,导致电阻率上浮,电阻率控制极其困难。重掺磷直拉硅单晶电阻率控制技术研究原稿。结果与讨论试验共进所生长的重掺磷硅单晶密度依然按照硅的密度计算......”。

8、“.....按照国标掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程,按照电阻率值查表得到为磷原子的摩尔质量,本文是按照计算的,没有考虑其他同位素的存在为阿伏伽德罗常数。重掺磷直拉硅单杂剂为高纯红磷,称重使用精度为的物理天平量取。由于红磷的高温挥发性很强,所以不能将磷粉同多晶硅起装入石英坩埚中加热,这样可能在多晶硅熔化过程就已经挥发殆尽,挥发的磷蒸汽又随着循环氩气被排出炉室,排出过程中随着温度的逐步降低而凝固在管道中造成安全隐患。因此本实验的杂质红磷掺杂方,杂质的掺入效率以及单晶头尾电阻率的变化与炉内压力与单晶生长时长关系明显,这种现象主要是由杂质磷的挥发引起的。由于单晶拉制过程中,气液相之间处于非平衡状态,杂质的挥发变得更为容易。杂质元素的挥发往往会造成熔体中杂质含量的变化。在真空条件下杂质元素的挥发程度通常用蒸发系数表殆尽,挥发的磷蒸汽又随着循环氩气被排出炉室......”。

9、“.....因此本实验的杂质红磷掺杂方式为后掺杂,即多晶硅融化后再进行掺杂。从电阻率判断杂质掺入情况,杂质的掺入效率以及单晶头尾电阻率的变化与炉内压力与单晶生长时长关系明显,这种现象主要是理论计算情况和实际情况对比炉号目标电阻率目标杂质浓度理论掺入量实测头部电阻率对应杂质浓度有效掺入量工艺投入量本文中理论掺杂剂质量的计算按照公式进行计算公式式中为多晶硅投料量,本实验为为硅单晶密度,本实验所生长的重掺磷直拉硅单晶电阻率控制技术研究原稿。因为在定温度和真空条件下,单位时间内从熔体中蒸发出的杂质数量与熔体表面积以及熔体中的杂质浓度成正比,通常情况下,上述参量之间的关系可用公式表示。实验方法本实验的单晶生长设备为国产型直拉硅单晶炉......”。