1、“.....损坏部位不再集中于鸟嘴附近,而是均匀的分布在么漂移区将会离场氧非常近,器件承受最大电流的能力同样得不到提高。只有同时拉长尺寸,同时增加注入,才能让电流在通过器件内部时更加快速均匀,有效降低了器件的损坏频率。在高压线路的工作过程中,如果值很小,而值比较大,在增加注入的情况下,器件的能力有明显提高,但是在线路检测过程中,并不会在很多情况下器件第次用于高压静电保护时就会损坏,这就是我们所谓的初始失效,严重影响了高压工作的效率。如果能够通过对器件的优化降低这种现象的发生概率,那么将会在很大程度上提高高压工艺的可靠性。器件保护设计的优化方向除了上述的电路试验以外,还进行了系列针对器件内部分有限,因为只增加漂移区的电阻,并没有实质性的降低鸟嘴区承受电场的强度,电流始终无法均匀通过硅片表面。如果只增加的注入,而不对尺寸进行拉长,那么漂移区将会离场氧非常近......”。

2、“.....只有同时拉长尺寸,同时增加注入,才能让电流在通过器件内部时更加快速均匀,有效降低了器高压器件初始失效问题及其优化方向研究唐文波原稿器件陈利,李开航,郭东辉微电子学器件的选择及加强电路保护的建议,中国电子商情基础电子。高压器件初始失效问题及其优化方向研究唐文波原稿。对新构造的器件进行实验操作时可以发现,电压到达发生触发时,其漏电电流未发生任何异常现象,及其发展趋势李丽科技资讯器件软失效分析及优化设计黄龙,梁海莲,毕秀文,顾晓峰,曹华锋,董树荣固体电子学研究与进展种适用于高低压电路单片集成的器件陈利,李开航,郭东辉微电子学器件的选择及加强电路保护的建议,中国电子商情基础电子。高压苏巍,张森,何乃龙固体电子学研究与进展新型改善器件的性能刘玉青,邓文基,胡术云电子产品可靠性与环境试验器件的几种新技术及其发展趋势李丽科技资讯器件软失效分析及优化设计黄龙,梁海莲,毕秀文......”。

3、“.....曹华锋,董树荣固体电子学研究与进展种适用于高低压电路单片集成的构,进步给出了件性能的优化方向。参考文献器件防护特性分析与优化设计王涛,黄龙,潘建华,赵秋森电子与封装器件电流非均匀分布的模拟和测试分析汪洋,周阿铖,朱科翰,金湘亮固体电子学研究与进展应力下器件软失效的分析及优化韩山明,林丽娟,喻钊我们可以得出高压器件存在的问题是,由于器件内部结构而导致的电流过度集中,旦电压超出承受能力,器件就会发生损坏。器件的优化方向是,如何更精准的设计器件的内部结构和尺寸,进而引导电流均匀的流金硅片体内,避免电流在个部位过度集中。器件优化成功的关键在于,通过对器件内部结构关苓利,张波微电子学器件在保护中的应用肖艳,贺江平,张波中国集成电路高压器件瞬态失效机理研究崔其晖,刘斯扬,钱钦松,孙伟锋,苏巍,张森,何乃龙固体电子学研究与进展新型改善器件的性能刘玉青,邓文基......”。

4、“.....电压到达发生触发时,其漏电电流未发生任何异常现象,新结构的器件,对电流承受能力更强,漏电保护效果远高于优化之前。对比损坏后的新旧两款器件,可以看出,新结构器件的损坏位臵也与旧结构器件有所不同,损坏部位不再集中于鸟嘴附近,而是均匀的分布在波原稿。从上述的实验结果可以看出,鸟嘴区的电场比较集中,改善的内部结构,可以从降低鸟嘴区电场改善电流集中这方面来入手,为了达到提升器件的电流性能的效果,可以通过优化器件内部结构的方法让电流均匀经过器件,避免电流高度集中于个部位。我们可以通过增大值,同时在扩散区的下方增加次注入嘴区电场改善电流集中这方面来入手,为了达到提升器件的电流性能的效果,可以通过优化器件内部结构的方法让电流均匀经过器件,避免电流高度集中于个部位。我们可以通过增大值,同时在扩散区的下方增加次注入的方法来优化器件原来的内部结构......”。

5、“.....全新的结构可以有效增大器件初始失效问题及其优化方向研究唐文波原稿。器件保护设计的优化方向除了上述的电路试验以外,还进行了系列针对器件内部结构相互影响的检测。通过对比检测的结果,我们能得出如果只增加器件内部漂移区的长度,而不增加浓度更高的注入,虽然也能改善器件承受最大电流的能力,但改善范围苓利,张波微电子学器件在保护中的应用肖艳,贺江平,张波中国集成电路高压器件瞬态失效机理研究崔其晖,刘斯扬,钱钦松,孙伟锋,苏巍,张森,何乃龙固体电子学研究与进展新型改善器件的性能刘玉青,邓文基,胡术云电子产品可靠性与环境试验器件的几种新技术器件陈利,李开航,郭东辉微电子学器件的选择及加强电路保护的建议,中国电子商情基础电子。高压器件初始失效问题及其优化方向研究唐文波原稿。对新构造的器件进行实验操作时可以发现,电压到达发生触发时,其漏电电流未发生任何异常现象......”。

6、“.....朱科翰,金湘亮固体电子学研究与进展应力下器件软失效的分析及优化韩山明,林丽娟,喻钊,蒋苓利,张波微电子学器件在保护中的应用肖艳,贺江平,张波中国集成电路高压器件瞬态失效机理研究崔其晖,刘斯扬,钱钦松,孙伟锋,高压器件初始失效问题及其优化方向研究唐文波原稿方法来优化器件原来的内部结构。经过优化的器件的漂移区长度增加了,全新的结构可以有效增大横向电阻,电流也不再过度的集中与器件内部的个区域。在漏级下方增加了道注入,并且加大了场氧区与漏极之间的距离,可以将电流均匀的分散到硅片上,器件的静电保护能力也会更强,如此来就能很好的避免初始失效的现器件陈利,李开航,郭东辉微电子学器件的选择及加强电路保护的建议,中国电子商情基础电子。高压器件初始失效问题及其优化方向研究唐文波原稿。对新构造的器件进行实验操作时可以发现,电压到达发生触发时,其漏电电流未发生任何异常现象,触发以后......”。

7、“.....电流会从漏级经过氧化区下方的型外层,和直接流到电源处,并且电流不会再集中于鸟嘴区域。由此得出,改进之后的器件电流会更均匀的分布于硅片体内,而非鸟嘴区域,证明新结构器件的电流承载能力更强。高压器件初始失效问题及其优化方向研究唐文优化方向是,如何更精准的设计器件的内部结构和尺寸,进而引导电流均匀的流金硅片体内,避免电流在个部位过度集中。器件优化成功的关键在于,通过对器件内部结构关键尺寸的精准把握,来优化器件的性能。文章通过实验检测等方法,剖析出器件发生初始失效问题的关键所在,即电流过度集中于同个区域,无法均匀的通过向电阻,电流也不再过度的集中与器件内部的个区域。在漏级下方增加了道注入,并且加大了场氧区与漏极之间的距离,可以将电流均匀的分散到硅片上,器件的静电保护能力也会更强,如此来就能很好的避免初始失效的现象。在期间发生第次触发之后,电流会先经过型埋层......”。

8、“.....但是发生第苓利,张波微电子学器件在保护中的应用肖艳,贺江平,张波中国集成电路高压器件瞬态失效机理研究崔其晖,刘斯扬,钱钦松,孙伟锋,苏巍,张森,何乃龙固体电子学研究与进展新型改善器件的性能刘玉青,邓文基,胡术云电子产品可靠性与环境试验器件的几种新技术结构的器件,对电流承受能力更强,漏电保护效果远高于优化之前。对比损坏后的新旧两款器件,可以看出,新结构器件的损坏位臵也与旧结构器件有所不同,损坏部位不再集中于鸟嘴附近,而是均匀的分布在整个漏级的区域。从上述的实验结果可以看出,鸟嘴区的电场比较集中,改善的内部结构,可以从降低鸟苏巍,张森,何乃龙固体电子学研究与进展新型改善器件的性能刘玉青,邓文基,胡术云电子产品可靠性与环境试验器件的几种新技术及其发展趋势李丽科技资讯器件软失效分析及优化设计黄龙,梁海莲,毕秀文,顾晓峰,曹华锋......”。

9、“.....在高压线路的工作过程中,如果值很小,而值比较大,在增加注入的情况下,器件的能力有明显提高,但是在线路检测过程中,并不会发生第次触发现象,此检测结果有效的验证了,器件是否发生第次触发现象,与电流的纵向通路和横向通路的竞争与平衡有着直接的关系。综合上述检测结果和分件。通过分析对器件内部结构存在的缺陷进行优化和改善,大幅提高了器件的电流能力。并且通过对比检测,总结出如何调整器件内部结构的关键尺寸和结构,进步给出了件性能的优化方向。参考文献器件防护特性分析与优化设计王涛,黄龙,潘建华,赵秋森电子与封装器件高压器件初始失效问题及其优化方向研究唐文波原稿器件陈利,李开航,郭东辉微电子学器件的选择及加强电路保护的建议,中国电子商情基础电子。高压器件初始失效问题及其优化方向研究唐文波原稿。对新构造的器件进行实验操作时可以发现,电压到达发生触发时,其漏电电流未发生任何异常现象......”。