1、“.....通过削薄基质材料而获得,并具体公开了先形成通孔再削薄基质以及先削薄基质再形成通孔的技术方案。上述分析表明在封装技术发展的初期阶段,专利次公开使用来形成半导体芯片叠层的中国专利文献,通过运用激光钻孔和各向异性蚀刻相结合的工艺来形成高深宽比的,首先通过各向异性蚀刻获得了光滑的侧壁,然后可以在光滑的通孔侧壁上形成绝缘膜,防止晶圆和芯片之间制作垂直导通孔,由进行互连及信号传输的技术。基于技术的集成封装是种系统级架构方法,其内部含有多个平面器件的堆叠,并经由实现垂直方向的全局信号互连。晶圆芯片键合晶圆芯从专利角度分析基于硅通孔的三维封装技术发展路线颜琳淑原稿方法要求两个相互接触的半导体元件具有非常好的共平面度......”。

2、“.....年,日本企业在中国申请了第个晶圆芯片技术的专利申请,授权公告号为,其为首次公开使用来形成半导绍了封装关键技术的发展演进路线。关键词维硅通孔封装专利分析维,集成封装技术是未来的关键性发展技术之,是实现小型化克服信号延迟导致的所谓布线危机的解决方属材料相互扩散的芯片键合方法,所述金属可包括铜或铜合金金银镍钛钨等常见的传导性高的材料,通过对键合表面的金属材料进行加热加压,使得两个金属键合层形成可靠的键合连接。但是,在实践中研究人员发现这种键合装技术。本文结合封装技术的专利申请和发展状况,介绍了封装关键技术的发展演进路线。封装技术发展分析目前,封装技术还处于开发阶段......”。

3、“.....其中,技术是通过在晶圆和晶圆之间,芯片和芯片之间以及晶圆和芯片之间制作垂直导通孔,由进行互连及信号传输的技术。基于技术的集成封装是种系芯片减薄晶圆芯片键合热管理。摘要由于封装优良的性能和巨大的潜力被认为是继引线键合和倒装芯片之后的第代封装技术。本文结合封装技术的专利申请和发展状况,介晶圆芯片键合晶圆芯片键合是指借助各种化学和物理作用连接两个或多个衬底或晶圆。从专利角度分析基于硅通孔的三维封装技术发展路线颜琳淑原稿。关键词维硅通孔封装专利分析维,装技术专利申请的第阶段,时间为年至今,主要涉及的填充填充材料以及导电层的形成方法。其中,年北京大学研发出了使用来散热的封装结构,使兼具导电和散热的性能......”。

4、“.....近期,东的扩散,提高了填充镀铜的效果,同时也提高了镀铜形成的导电层的导电性和可靠性,并公开了使用通孔来形成半导体芯片的叠层。紧接着,相继出现了对基片进行背部减薄以及对填充的专利申请,年肖特股份。集成封装技术研究主要涉及以下大方向片上系统,贯穿硅通孔技术,和封装体的叠层技术。其中,技术是通过在晶圆和晶圆之间,芯片和芯片之间以及芯片减薄晶圆芯片键合热管理。摘要由于封装优良的性能和巨大的潜力被认为是继引线键合和倒装芯片之后的第代封装技术。本文结合封装技术的专利申请和发展状况,介方法要求两个相互接触的半导体元件具有非常好的共平面度,并且需要较高的键合温度和较长的工艺时间。年,日本企业在中国申请了第个晶圆芯片技术的专利申请......”。

5、“.....其为首次公开使用来形成半导气氛环境下将薄金属层制作到待键合的元件表面,然后对紧密贴合的两个金属表面施加高温高压并保持较长时间,使两个键合面间的金属原子相互充分扩散并最终合为体来实现键合。专利公开了种利用相邻键合表面的金从专利角度分析基于硅通孔的三维封装技术发展路线颜琳淑原稿芝的专利特開中科院微电子所的专利,提出了在通孔中填充光纤以及通过不填充通孔而在通孔中形成光路的专利申请,将用于传输光信号。从专利角度分析基于硅通孔的三维封装技术发展路线颜琳淑原稿方法要求两个相互接触的半导体元件具有非常好的共平面度,并且需要较高的键合温度和较长的工艺时间。年,日本企业在中国申请了第个晶圆芯片技术的专利申请,授权公告号为......”。

6、“.....在经历了年左右的技术发展,迎来了封装技术专利申请的第阶段,主要涉及通过释放或消除应力来提高封装电学性能和机械性能的专利申请。又经过了大约年,进入了封了大约年,进入了封装技术专利申请的第阶段,时间为年至今,主要涉及的填充填充材料以及导电层的形成方法。其中,年北京大学研发出了使用来散热的封装结构,使兼具导电和散热的性能,能有限公司的专利,通过削薄基质材料而获得,并具体公开了先形成通孔再削薄基质以及先削薄基质再形成通孔的技术方案。上述分析表明在封装技术发展的初期阶段,专利申请人关注的主要是的制芯片减薄晶圆芯片键合热管理......”。

7、“.....本文结合封装技术的专利申请和发展状况,介芯片叠层的中国专利文献,通过运用激光钻孔和各向异性蚀刻相结合的工艺来形成高深宽比的,首先通过各向异性蚀刻获得了光滑的侧壁,然后可以在光滑的通孔侧壁上形成绝缘膜,防止了后续填充在中铜向侧壁属材料相互扩散的芯片键合方法,所述金属可包括铜或铜合金金银镍钛钨等常见的传导性高的材料,通过对键合表面的金属材料进行加热加压,使得两个金属键合层形成可靠的键合连接。但是,在实践中研究人员发现这种键合集成封装技术是未来的关键性发展技术之,是实现小型化克服信号延迟导致的所谓布线危机的解决方案。集成封装技术研究主要涉及以下大方向片上系统,贯穿硅通孔技术,够改善电源完整性。近期......”。

8、“.....提出了在通孔中填充光纤以及通过不填充通孔而在通孔中形成光路的专利申请,将用于传输光信号。金属扩散键合是在真空环境或者保护从专利角度分析基于硅通孔的三维封装技术发展路线颜琳淑原稿方法要求两个相互接触的半导体元件具有非常好的共平面度,并且需要较高的键合温度和较长的工艺时间。年,日本企业在中国申请了第个晶圆芯片技术的专利申请,授权公告号为,其为首次公开使用来形成半导请人关注的主要是的制造工艺及其结构方面的改进。在经历了年左右的技术发展,迎来了封装技术专利申请的第阶段,主要涉及通过释放或消除应力来提高封装电学性能和机械性能的专利申请。又经过属材料相互扩散的芯片键合方法......”。

9、“.....通过对键合表面的金属材料进行加热加压,使得两个金属键合层形成可靠的键合连接。但是,在实践中研究人员发现这种键合了后续填充在中铜向侧壁的扩散,提高了填充镀铜的效果,同时也提高了镀铜形成的导电层的导电性和可靠性,并公开了使用通孔来形成半导体芯片的叠层。紧接着,相继出现了对基片进行背部减薄以及对片键合是指借助各种化学和物理作用连接两个或多个衬底或晶圆。从专利角度分析基于硅通孔的三维封装技术发展路线颜琳淑原稿。年,日本企业在中国申请了第个晶圆芯片技术的专利申请,授权公告号为,其为首。集成封装技术研究主要涉及以下大方向片上系统,贯穿硅通孔技术,和封装体的叠层技术。其中,技术是通过在晶圆和晶圆之间......”。