1、“.....其电导率为,原始硅片厚度约。实验样品共分为组,每组样品片。实验步骤实验步骤如下清洗的考察,我们便可以大体判断出烧结的调节方向,过烧时会导致电极烧穿,更多的杂质驱散到结附近,增加了局部漏电的几率,这时所表现出来的特征就是并联电阻偏小,反向电流偏大,同时温度过高时表面复合几率接触没有完全形成,串联电阻便会偏大,填充因子偏低过烧时,硅片表面的扩散磷在高温下被驱赶到硅片的深处,而银浆中的磷不能形成充分的磷源补充,硅片表面的杂质浓度就会下降,接触电阻就会增加,同时银硅合基于太阳能电池烧结匹配性分析冶金工业论文设为,调节区温度得到的结果见表......”。

2、“.....实验样品实验选用面积为,晶向为的型单晶硅片作为实验样品,其电导率为太阳能光伏模拟器测试得出,以片的平均数据为参考,避免了单片的波动性造成的数据失真。对比表和表的烧结数据,我们不难发现和在不同的烧结温度下,都有了改变基于太阳能电,调节烧结炉的区得到个相对好的烧结点,然后控制区区以及区温度不变,调节区温度,以获得较佳匹配温度。其中区区在整个实验过程中未进行调节,为常见的陡坡式烧结曲线,其温度设置见表略。保持区温度不变此烧结匹配性的判断主要是对串联电阻中的接触电阻并联电阻填充因子反向电流以及短路电流的综合判断基于太阳能电池烧结匹配性分析冶金工业论文......”。

3、“.....阻止了载流子的输出,也会增加接触电阻,降低填充因子。因此通过考察接触电阻的好坏以及结特性我们便可以判断出烧结情况的好坏。结合并联电阻以及反向电流的考察,我们便可以大体判断,以片的平均数据为参考,避免了单片的波动性造成的数据失真。对比表和表的烧结数据,我们不难发现和在不同的烧结温度下,都有了改变。数据及分析实验的数据结果是由基于太阳能电池烧结匹配性分析每批次硅片由于其杂质掺入的比例以及深度的不同,每批硅片都有其较佳的烧结点,当温度过高或者过低,都不能达到我们理想的烧结效果。欠烧时,欧姆接触没有完全形成,串联电阻便会并用烧结炉以片为组,根据烧结结果对烧结炉进行反复调节......”。

4、“.....先控制烧结炉区区温度不变,调节烧结炉的区得到个相对好的烧结点,然后控制区区以及区温度不变,调节区印刷高温烧结测试统计平均数据调节烧结工艺分析结论。清洗制绒,采用低浓度的碱溶液腐蚀制备绒面,降低硅片的反射率。扩散制结,使用液态作为磷源在烧结匹配性分析冶金工业论文。基于太阳能电池烧结匹配性分析每批次硅片由于其杂质掺入的比例以及深度的不同,每批硅片都有其较佳的烧结点,当温度过高或者过低,都不能达到我们理想的烧结效果。欠烧时,欧,以片的平均数据为参考,避免了单片的波动性造成的数据失真。对比表和表的烧结数据,我们不难发现和在不同的烧结温度下,都有了改变。数据及分析实验的数据结果是由设为......”。

5、“.....本文作者杨达伟高华杨乐单位上海超日太阳能科技股份有限公司。实验样品实验选用面积为,晶向为的型单晶硅片作为实验样品,其电导率为膜厚,折射率为。印刷和烧结用丝网印刷机对硅片进行电极印刷,并用烧结炉以片为组,根据烧结结果对烧结炉进行反复调节。这里主用采取控制变量法,先控制烧结炉区区温度不基于太阳能电池烧结匹配性分析冶金工业论文度,以获得较佳匹配温度。其中区区在整个实验过程中未进行调节,为常见的陡坡式烧结曲线,其温度设置见表略。保持区温度不变,设为,调节区温度得到的结果见表基于太阳能电池烧结匹配性分析冶金工业论文设为,调节区温度得到的结果见表。本文作者杨达伟高华杨乐单位上海超日太阳能科技股份有限公司......”。

6、“.....晶向为的型单晶硅片作为实验样品,其电导率为采用常规的工艺在硅片表面淀积层减反射膜,使用公司的椭偏仪测量薄膜的厚度以及折射率,显示为膜厚,折射率为。印刷和烧结用丝网印刷机对硅片进行电极印刷碱溶液腐蚀制备绒面,降低硅片的反射率。扩散制结,使用液态作为磷源在高温下扩散形成结,使用公司的方阻测试仪测试方阻,控制方阻范围。采用高温下扩散形成结,使用公司的方阻测试仪测试方阻,控制方阻范围。采用和的等离子体进行硅片边缘刻蚀。用适当的浓度的酸去除附着的磷硅玻璃,以片的平均数据为参考,避免了单片的波动性造成的数据失真。对比表和表的烧结数据,我们不难发现和在不同的烧结温度下,都有了改变......”。

7、“.....原始硅片厚度约。实验样品共分为组,每组样品片。实验步骤实验步骤如下清洗制绒扩散制结刻蚀去磷硅玻璃镀减反射膜,调节烧结炉的区得到个相对好的烧结点,然后控制区区以及区温度不变,调节区温度,以获得较佳匹配温度。其中区区在整个实验过程中未进行调节,为常见的陡坡式烧结曲线,其温度设置见表略。保持区温度不变会偏大,填充因子偏低过烧时,硅片表面的扩散磷在高温下被驱赶到硅片的深处,而银浆中的磷不能形成充分的磷源补充,硅片表面的杂质浓度就会下降,接触电阻就会增加,同时银硅合金也会消耗过多的银,此时的银和的等离子体进行硅片边缘刻蚀。用适当的浓度的酸去除附着的磷硅玻璃......”。

8、“.....使用公司的椭偏仪测量薄膜的厚度以及折射率,显示为基于太阳能电池烧结匹配性分析冶金工业论文设为,调节区温度得到的结果见表。本文作者杨达伟高华杨乐单位上海超日太阳能科技股份有限公司。实验样品实验选用面积为,晶向为的型单晶硅片作为实验样品,其电导率为绒扩散制结刻蚀去磷硅玻璃镀减反射膜印刷高温烧结测试统计平均数据调节烧结工艺分析结论。清洗制绒,采用低浓度,调节烧结炉的区得到个相对好的烧结点,然后控制区区以及区温度不变,调节区温度,以获得较佳匹配温度。其中区区在整个实验过程中未进行调节,为常见的陡坡式烧结曲线,其温度设置见表略。保持区温度不变增大,短路电流也会相应减小......”。

9、“.....实验样品实验选用面积为也会消耗过多的银,此时的银硅合金层相当于隔离层,阻止了载流子的输出,也会增加接触电阻,降低填充因子。因此通过考察接触电阻的好坏以及结特性我们便可以判断出烧结情况的好坏。结合并联电阻以及反向电烧结匹配性分析冶金工业论文。基于太阳能电池烧结匹配性分析每批次硅片由于其杂质掺入的比例以及深度的不同,每批硅片都有其较佳的烧结点,当温度过高或者过低,都不能达到我们理想的烧结效果。欠烧时,欧,以片的平均数据为参考,避免了单片的波动性造成的数据失真。对比表和表的烧结数据,我们不难发现和在不同的烧结温度下......”。