1、“.....该生长系统在国际上未见成型产品，本项目单位根据多年工艺技术积累，选用精密温控仪表欧陆智能式温控仪和机械传动系统双向导轨和同步进电机带动精密丝杠组合，可保证在长达天单晶生长过程中温控精度，炉体移动速度最低时小时爬行不大于。采用优质管支撑石英反应管使石英反应管长期处于高温下时膨胀度不至影响单晶生长反应管外径扩大不超过。石英舟预处理技术单晶生长是在密封于石英反应管中石英舟中进行，因此首先要解决是石英舟与熔体粘舟问题。只有不粘舟才能保证单晶生长顺利，不出多晶孪晶。生长完成后，晶体易从舟中取出脱舟良好且生长晶体完整性好符合产品技术指标。这个问题曾是困扰单晶生长个较严重问题......”。

2、“.....碳舟虽可避免粘接问题，但碳易大量掺入晶体成为有害杂质，从而使晶体报废。本项目承担单位国瑞公司经多年研究实践找到了解决粘接问题良好方法，成为本公司项独特专有技术石英舟预处理技术，该项技术主要是在适当溶剂中进行热处理，它可保证在长达天单晶连续生长中，熔体与舟不粘接，单晶生长完成后，单晶顺利脱舟。纵向温度分布技术通过中高温热场合理配置，提高晶片纵向均匀性，有利于提高成品率。本项目所设计水平单晶炉是种多段式两温区炉，只有热场配置合理即温度梯度合适才有可能生长出合格单晶，公司技术人员经过反复实验比较不断优化，设计出了合理热场，优化了温度分布，为提高单晶生长成品率实现该工艺产业化创造了又个有利条件。本项目中，单晶生长采用两步法，即先合成多晶然后再次备料生长单晶，备好多晶放入两温区多段加热炉中生长单晶谓之无砷端生长技术。两温区炉高温区温度为。中温区为。这种加热结构既得到所需温度分布......”。

3、“.....污染是由于舟石英管都是石英即材料易于使并入熔体和单晶中。抑制污染机理是在合成和晶体生长中，高温区发生熔体中与石英反应单晶生长过程中固液界面与生长方向之间角度和所切晶片晶向与单晶生长方向之间角度不致，所切晶片上载流子浓度会形成浓度梯度，即得不到均匀分布，这会对在晶片上生长外延材料及器件成品率和性能造成不良影响。角度不致还有可能在晶体内部出现热应力而导致晶体完整性差，使增大，从而降低成品率。国内外在水平单晶研究开发中，多年来都是使用管状加热炉。因此，固液界面只能与生长方向垂直，无法得到所需要偏角。管状加热炉除了无法得到所需偏角以外，还很难调制固液界面本身平坦度，由于砷化镓热导率相对较低，在采用管状加热炉情况下固液界面四周热环境是固定，无法变动，加上热辐射和固液界面结晶潜热难以导出，使熔体边缘温度低于中心处温度，往往使固液界面凹向熔体。这种界面非常容易出孪晶......”。

4、“.....降低成品率。在单晶生长理论中，理想固液界面形状应为平坦或略为凸向熔体，做到这点，加热体设计和制造非常关键。加热体是单晶生长核心，对单晶生长影响非常大，是决定单晶生长成功与否关键因素之。该产品设计和制造是本公司多年科研结晶。本公司在炉体结构设计保温层设置和配置加热区段设置加热区域设置等方面均取得了很大进步。目前制作加热体，截面区固液交界面区有特殊加热结构。高温区各加热段设计合理，中温区有后加热体设置，其余各区设置合适在产品试制过程中表明，该加热体非常适合水平砷化镓单晶生长。采用这种加热体，可以很好调节固液界面形状及固液界面与生长方向夹角，使其与所切割晶片方向致，并与单晶生长方向之间夹角致。同时，采用这特种加热炉，通过高温区中温区和固液界面区温度分布控制，很容易调平固液界面。当然，这种加热体如何单独控制又协调配合形成所需温度分布，也要经过反复实验研究不断优化。经过几年开发......”。

5、“.....该项技术达到世界先进水平。关键技术先进性本项目产品年月通过了中国有色金属工业协会组织科技成果鉴定，鉴定结论为该项目利用本单位独创石英舟预处理技术生长系统设计和制造技术，固液界面特种加热炉设计和制造技术，研究开发了本项目产品生长工艺技术和晶片加工工艺技术。通过提高单晶单炉产量和成品率，提高晶片加工成品率，实现了水平砷化镓单晶材料产业化，达到了预期目标。该项目技术达到国际先进水平，产品质量也达到国际先进水平，同类商品国际市场占有率接近。该产品与日本住友电工相比，各项技术指标均达到或高于其产品。产品技术性能水平与国内外同类产品比较单晶产品产品形式有单晶锭和单晶片两种，主要有型掺单晶和型掺单晶两种，主要用于包括红外和高划第章概述项目提出背景砷化镓单晶是种重要半导体光电子和高速高频用半导体微电子材料，在国际上其产量仅次于硅。工艺是研究开发最早单晶生长工艺......”。

6、“.....单晶年产量占全世界单晶年产量年全球单晶产量约。单晶生长设备及生长过程涉及到物理化学冶金学自动控制机械工艺等多个学科，技术含量高，批量生产工艺难度大，日本美国等少数厂家在上世纪八十年代前后即开始批量生产，但其所使用生产设备生产工艺及晶片加工技术对外严格保密。国际上单晶生产以日本住友电工公司为主，其产量约占全世界产量年为，所提供晶片以，为主。，水平砷化镓单晶近年来大量用于红外和高亮度，是目前生产量和需求量最大增长率最快化合物半导体器件之。但是由于国内目前还没有生产该产品企业，使国内企业对该产品需求主要依赖进口，造成大量资金流向国外。本项目产品研发工作正是在这背景下提出并开展。技术开发状况水平砷化镓单晶材料产业化年被原国家计委批复为国家高技术产业化示范工程项目，并于年通过中国有色金属工业协会组织科技成果鉴定，鉴定结果为该项目技术产品质量达到了国际先进水平......”。

7、“.....并开始批量生产，产品已成功进入国内外市场。下步工作中，企业计划在进步综合优化现有工艺技术基础上，使单晶成品率由现在增加到。。使单晶成品率由现在增加到。以进步提高产品性价比从而增强其竞争力。现有产业规模本产品年通过鉴定后开始进行小规模生产，年该产品销售收入达到万元，年产品销售收入达到万元，预计年销售收入可达到万元，净利润达到万元。项目产品主要用途性能本项目产品近年来大量用于红外波长和高亮度即高亮度红橙黄色，是目前生产量和需求量最大增长率最快化合物半导体器件之。主要技术与性能指标如下型掺晶片直径。型掺晶片直径。投资必要性本项目产品近年来大量用于红外和高亮度，市场前景非常广。但是目前国内还没有家进行该项目产品研发生产企业，国内企业对该产品需求主要依赖进口，而进口产品价格昂贵，造成生产成本提高。为缓解这种局面，本公司在原有产品基础上，组织研发人员度获工学硕士学位......”。

8、“.....主管投资经营部条件保障部基建办公室物业管理公司和兴友公司。曾任北京有色金属研究总院稀冶所所长开发经营部主任基建办公室主任院长助理。长期从事电池材料与有色金属冶金工作，取得多项国家和部级成果。其中锂离子电池及其电池材料研究及产业化获中国有色工业科技进步等奖黄金洞金矿浮选工艺优化研究与应用获国家经贸委科技进步等奖。发表论文近篇，获专利项，享受政府特殊津贴，兼任中国稀有金属学会钛锆铪学会主任，中国电池工业协会常务理事，北京金属学会理事，美国电子电器工程师协会高级会员。技术负责人郑安生，公司总经理，男，年月出生，中共党员，年毕业于兰州大学，材料科学硕士学位同年来北京有色金属研究总院工作至今。历任研究专题组长国家半导体材料工程研究中心主任助理副主任，现任国瑞电子材料有限责任公司总经理国家半导体材料工程研究中心副主任......”。

9、“.....年被聘为教授级高级工程师。具有系统坚实专业理论知识和跟踪本专业国内外科技发展前沿能力，对ⅢⅤ族化合物半导体单晶材料制备有较深入研究和独到见解，在国内同行中有较高知名度。掌握英日两种外语，能熟练运用英语进行读写听说。具备主持国家重点科研项目全过程能力。年以来先后主持国家高技术研究项目两项，九五国家科技攻关项目项，国防科工委重大军工项目两项，国家工程研究中心项目项，国家高技术产业化示范工程水平砷化镓单晶片产业化项等，获部级成果四项。所述示范工程项目已被评为年度有色金属工业科技进步等奖，已申报国家科技进步奖。历年来，在国内外学术刊物发表论文余篇，出版专著半导体材料，化学工业出版社，部，为相关工具书撰写词条译著等约万字。郑总具有多年经营管理经验，对企业发展和市场把握有着敏锐眼光和长远战略，公司在他带领下，通过质量管理体系认证，企业获得河北省高新技术企业证书......”。