1、以下这些语句存在若干问题，包括语法错误、标点使用不当、语句不通畅及信息不完整——“.....甚至还需要采用稀土材料或者贵金属材料。因此，磁性材料基磁阻传感器已经无法满足高度集成化宽范围磁场探测以及低成本化方向持续发展的要求。为此，人们把目光转移到了非磁性的而且资源丰富的硅基磁电阻传感器上，由于硅基磁电阻传感器在中高磁场范围的优异的磁电阻性能以及资源优势，有望成为未来的商用化磁传感器。然而，这种硅基磁电阻传感器的低磁场下弱信号输出问题，局限了该器件的低磁场范围的探测能力，从而阻碍着该磁电阻器件的进步发展。从科学家最近的研究成果中，我们了解到了硅材料的非均匀性通过内部迁移率的涨落即无序化程度来体现，但这种迁移率的无序化很大程度上是与材料内部的非均匀内建电场分布有关。因此，硅基材料内部的非均匀电场分布可以引起巨大磁电阻效应，而且已有相关报道证实了非均匀电场分布对磁电阻效应的影响。但由于低温或高场的限制，这些研究成果还都不能够得到应用。由二极管辅助硅实现巨大的磁电阻效应......”。

2、以下这些语句存在多处问题，具体涉及到语法误用、标点符号运用不当、句子表达不流畅以及信息表述不全面——“.....如图所示。在这类体系中，通过对温度或电压的调控，电流可以在层或层中输运。当电流在层输运时，可以观测到负磁阻现象，其物理机理与巨磁阻，效应相类似。而当电流经过硅衬底传输时，则可形成正磁阻现象。这与硅衬底本身或器件中氧化层下的表面二维电子气，相关。图结构中正负磁电阻转换现象，磁电阻随温度的变化关系，在和下，磁电阻随磁场的变化关系。因为硅材料在现今电子工业的核心地位，目前针对硅基磁电阻的研究越来越受人们的关注。从理论上来讲，对于硅基正常磁电阻的研究已经比较透彻，但是对硅基反常磁电阻的研究还需要更加的深入，比如在电中性失衡的情况下，体系内磁电的输运等行为。从实际应用上来说，不仅要进步开发硅基磁电阻器件在中高磁场感应方面的应用还需尽量提升这类器件的低磁场灵敏度，以扩大其适用范围。除此以外，利用硅材料的磁电阻还可应用到其他的磁控相关领域中，并且也很方便与现有硅工艺进行兼容，进而推动硅基磁电子学的发展......”。

3、以下这些语句在语言表达上出现了多方面的问题，包括语法错误、标点符号使用不规范、句子结构不够流畅，以及内容阐述不够详尽和全面——“.....譬如硅材料本身的本征非线性磁场响应低场下弱信号输出以及高能耗驱动等。围绕这些问题，我们在第二章和第三章中以稳压二极管辅助器件增强磁电阻效应，研究二极管本身和界面二氧化硅层对磁电阻性能的影响来具体地探讨了增强硅基磁电阻效应的些可行性方案以及相关实验结果，并揭示这些磁电阻增强现象的物理机制。磷化铟基室温磁电阻效应磷化铟广泛的应用于光通讯器件和高频器件中，并且由于磷化铟的抗辐射性能强而被用于空间太阳能电池上，但是由于磷化铟的电子迁移率不像碲化铟那么高，导致磷化铟在室温下的磁电阻很小，也就造成了磷化铟在磁电阻器件方面几乎没有应用，我们在第三章中以稳压二极管辅助增强磷化铟磁电阻效应，并以有限元模拟来探讨增强磷化铟基磁电阻的机制。为磷化铟在磁电阻器件方面的应用提供些可行性方案。以此拓展磷化铟材料的应用范围。最后，在第章中我们根据前面几个章节中得到的相关实验及模拟结论......”。

4、以下这些语句该文档存在较明显的语言表达瑕疵，包括语法错误、标点符号使用不规范，句子结构不够顺畅，以及信息传达不充分，需要综合性的修订与完善——“.....半导体基磁电阻器件非凡的磁电阻效应，吸引了人们高度的关注和浓厚的兴趣，尤其是硅材料。因为用半导体材料替代传统的磁性来做磁电阻器件可以在半导体上实现磁光电体化，将磁电阻器件逻辑器件以及驱动器件集半导体于身，减少电子工业制备中的步骤，拓展半导体材料的应用范畴。目前为止，在硅基磁电阻效应上的相关研究已取得了较大地进展。虽然以外磁场对雪崩碰撞电离杂质波函数收缩空间电荷限制以及非均匀性电场或载流子迁移率涨落影响为主的微观机理解释很大程度上符合许多磁电阻现象，但是对真实物理机制的认识仍然处于迷雾中。另外......”。

5、以下这些语句存在多种问题，包括语法错误、不规范的标点符号使用、句子结构不够清晰流畅，以及信息传达不够完整详尽——“.....传统的磁传感器按照其所用的基底材料可分两大类类是以巨磁阻器件和磁性隧道结为代表的磁性金属材料基的磁传感器，主要应用于低磁场另类是以高迁移率的碲化铟为代表的非磁性半导体基的磁传感器，主要应用于中高磁场。若是仅从磁电阻性能的角度考虑，硅和磷化铟并不太适合用于做磁传感器，因为硅和磷边界的基础上获得灵感，在结构上做出微观定态结磁电阻器件。在室温万方数据三峡大学硕士学位论文和条件下器件的磁电阻达到了，在时可达到，而其驱动电压仅仅需要图。作者将观测到的现象归因于磁场诱使结区电场分布不均和载流子浓度的变化的相互作用。早在这些新颖的纯硅基磁电阻的现象被报道之前，还有很多的研究者针对金属氧化物硅，这体系开展过大量且卓有成效的研究。曲天良等人的研究成果呈现出在下，异质结体系中磁电阻可以达到，并且将这现象归于磁场对隧穿势垒高度的调制。在另类由铁磁性材料氧化物硅构成的异质结体系中......”。

6、以下这些语句存在多方面的问题亟需改进，具体而言：标点符号运用不当，句子结构条理性不足导致流畅度欠佳，存在语法误用情况，且在内容表述上缺乏完整性。——“.....在此时载流子几乎被限制在中输运。与金属相比，作为半导体的的电阻率要高得多，所以致使这器件的磁电阻效应特别的显著。图等人设计的器件示意图以及电阻磁场依赖关系式中是电导率和分别是角迁移率以及外加磁场。万方数据三峡大学硕士学位论文图半导体金属界面在低磁场和高磁场下对载流子的散射示意图年，等人对等人的设计进行了进步的优化，他们用“丰”字形替换了中间的圆盘，在使用更少的情况下，进步提升了的磁电阻性能，然而器件在更低磁场的灵敏度并没有得到提升而且在高场下的饱和值与等器件在更大填充因子的饱和值相近如图。图体系中的二维有限元模拟万方数据三峡大学硕士学位论文本文研究内容本章主要介绍了硅磷化铟以及碲化铟基磁电阻效应，以及它们在磁控相关功能器件领域的应用前景以及研究意义。在本文后续的章节中，将逐地探讨关于硅基磁电阻效应和磷化铟基磁电阻效应的具体研究内容。硅基磁电阻效应理论和实验研究表明......”。

7、以下这些语句存在标点错误、句法不清、语法失误和内容缺失等问题，需改进——“.....最大的障碍还是来自于它的非线性磁场依赖低场下弱信号输出以及高功耗等问题。由二极管辅助的几何增强磁电阻放大机制在很大程度上为这些问题提供了可行的解决方案。根据以上的思路，我们研究二极管本身和界面二氧化硅层对磁电阻性能的影响来具体地探讨了增强硅基磁电阻效应的些可行性方案以及相关实验结果，并揭示这些磁电阻增强现象的物理机制。进步推进了硅基磁电阻器件的应用进程。另外，我们还将研究的成果成功平移应用到了磷化铟上，实现了磷化铟室温下大的磁电阻效应。众所周知，磷化铟广泛应用于光通讯器件和高频器件中，并且由于其抗辐射的能力强而被用于空间太阳能电池上，然而其在室温磁电阻器件方面几乎没有应用，我们的研究填补了这空白。万方数据三峡大学硕士学位论文绪论研究背景与意义磁电阻效应是指材料的电阻在外加磁场作用下发生变化的物理现象。几乎所有的金属合金以及半导体都或大或小地存在磁电阻效应。磁电阻的变化率简称磁电阻，效应是整个磁传感工业的核心......”。

8、以下文段存在较多缺陷，具体而言：语法误用情况较多，标点符号使用不规范，影响文本断句理解；句子结构与表达缺乏流畅性，阅读体验受影响——“.....并取得了相应的研究成果。但总体而言，硅基磁阻器件还不能与磁性材料基的磁阻器件以及高迁移率半导体基磁阻器件的性能相媲美，还需要进步的研究提高其低磁场灵敏度，降低其功耗。万方数据三峡大学硕士学位论文碲化铟体系科学家们很早就发现单晶碲化铟在室温条件下具有巨大的正常磁电阻效应，在低温条件下还可实现量子霍尔效应。这是因为它具有异常巨大的迁移率，在室温下可以达到。而且即使是多晶的亦能产生巨大的磁电阻效应，其部分原因与或者体系的情况类似。年，等人设计出种基磁传感器，将这类窄带隙高迁移率半导体材料的数值和低磁场灵敏度提升了个数量级。如图所示，他们设计在金为中心的圆盘四周围绕型圆环。器件在形状上与盘相类似，但是在测量采用四电极法。这种磁传感器的设计理念是利用磁场对载流子在界面的散射来实现器件电阻率的变化。如公式和图所示，在无外加磁场时，由于的短路作用，电流密度垂直地流过界面而当的时，角接近于度......”。

9、以下这些语句存在多方面瑕疵，具体表现在：语法结构错误频现，标点符号运用失当，句子表达欠流畅，以及信息阐述不够周全，影响了整体的可读性和准确性——“.....万方数据三峡大学硕士学位论文二极管对硅基磁电阻器件性能影响的研究本章引论磁传感器作为种把磁场信号转换成电信号的磁控器件，根据其具体的功能以及其适用范围可分为许多种类，如地磁传感器电流传感器位置传感器转动传感器等。按照磁传感器的工作机制，也可以将其分为磁通门式传感器霍尔传感器磁电阻传感器磁敏晶体管传感器磁光式传感器等。由于这些传感器各有自身的优缺点，因此无法用种传感器代替其他传感器的各种优势。尽管如此，考虑到现今人们的高标准需求以及商业化应用中对这些磁传感器的多功能化集成化低成本化要求，许多人着手于开发适用范围广且多功能的磁传感器研究工作当中。其中，磁电阻器件的研发工作得到了人们的高度关注，因为磁电阻器件不仅有高度集成化的潜力而且有着磁电相关的多功能化应用前景，。目前为止，磁性材料基磁阻传感器如等在汽车航空航天电子罗盘计算机装备制造业等等领域得到了广泛的应用。但是由于磁性材料自身固有的作为磁传感器不利的因素......”。