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公司设计国内项目经济评价软件第三版进行计算。


投产初期生产计划及项目计算期按拟建进度,建设期为年,投产当年产量达到设计能力,项目计算期为年。


销售收入销售税金及附加估算根据产品结构特点及市场价格定位,该项目精制芒硝综合平均出厂价格为元吨含税价经计算,年销售收入估算值在正常年份为万元。


产品增值税按计算,城市维护建设税和教育费附加分别按其和计取。


本项目达产年销售税金及附加为万元。


详见表产品销售收入和税金表。


总成本费用估算原材料及燃料动力消耗定额由各设计专业提供,价格根据市场行情或由建设单位提供,具体如下所示芒硝元吨燃料煤元吨水元立方米电元度工资及福利费估项目综合研究结论可行。


第二章市场分析项目产品特点芒硝矿主要由天然冷冻结晶十水芒硝十水硫酸钠构成。


其含量在之间不等。


分子式本项目对芒硝十水芒硝进行精制,其实质就是个脱水过程,即将含量十水硫酸钠经过定工艺过程,脱去结晶水,精制成为含量无水芒硝。


市场依托分析由于本项目精制芒硝产品,主要是为当地硫化碱学名硫化钠生产提供高品位原料,因此,项目产品市场前景也以硫化碱市场前景为前提,硫化碱学名硫化钠是基本无机化工原料之,在国民经济中有广泛用途,主要用于造纸皮革有色金属造矿纺织印染染料颜料橡胶医药有机化工中间体等行业。


硫化碱产业属资源转换型产业,产品生产目前在世界上除少量属钡盐生产中副产品外,其绝大部分是利用炭还原天然芒硝精制而得,世界上主要生产国家有中国美国俄罗斯波兰意大利等少数国家,其产能达万吨年。


全国硫化碱生产企业规模以上企业达多家,主要产地分布在新疆内蒙山西甘肃四川等省区,已形成产能达万吨年。


硫化碱消费自世纪年代起发生了较大变化,而且起伏波动较大,年代中期由于受小造纸小印染拉动,硫化碱产品消费创历史最高水平,出现了供不应求局面,而年代末期,国家加大了对小造纸小印染结构调整力度,硫化碱消费急剧萎缩,全国很多企业关闭破产,而资源产地企业由于受资源支撑,未受到大冲击。


特别是进入二十世纪后,由于受纺织印染染料颜料医药和农药中间体等行业复苏拉动,硫化碱市场需求出现了稳步攀升局面。


特别是造纸行业,反倾销胜诉和硫化碱出口量快速增加,拉动了硫化碱市场需求。


由于受相关产业拉动,硫化碱市场消费增速,硫化碱市场需求量达万吨年。


而且每年以接近增长速度递增。


目前,项目区域硫化碱总产能为万吨年,约占全国产能三分之多,每年消耗芒硝原料不同品位共约万吨左右。


产品方案产品名称质量规格产量销售价格销售方向精制芒硝≧万吨元吨本地企业第三章厂址选择与建厂条件拟建项目厂址位于哈萨克自治县化工区内。


县域概况地理位置县地处天山东段山与阿尔泰山余脉之间,北纬,东经。


北以阿尔泰山为界,与蒙古国毗邻,南以天山山脊为界与哈密市相连,东与伊吾县接壤,西与木垒县相靠。


东西最大横距,南北最大纵距,面积平方千米。


自然环境地形地貌哈萨克自治县境内地势东南高,西北低,受地质构造控制,大体可以分为高中山地高原盆地戈壁荒漠湖泊大五类。


地形特征是三山山莫钦乌拉山东准噶尔断块山系夹两盆盆地三塘湖盆地。


南部是山,中部是莫钦乌拉山,北部是东准噶尔断块山系。


气候气象气温年极端最高气温年极端最低气温年器蒸发。


效蒸发增浓后料液分别加入二三四效蒸发器。


效蒸发器二次蒸汽进入二效加热室。


二效二次蒸汽进三效加热室风量洗泥罐台离心泵台强制循环泵台碳钢各种管线配套根据工艺计算确定套自控仪表系统根据工艺计算确定套分析仪器套按工艺配套产品散装运输车车辆计量衡器台地中衡台含基础设施装载机铲车辆其他辅助及配套套按工艺配套公用工程设施配套套安装费用合计动力车间设备览表表序号设备名称规格型号单位数量价格备注锅炉台送风机台引风机台汽水管道米根据工艺计算确定清水泵台给水泵台锅炉水位计压力表等若干根据工艺计算确定电动葫芦个钢煤斗只双旋风除尘器台钠离子交换器台锅炉台安装合计电气设施设备览表表序号设备名称规格型号单位数量价格备注供电外线根据工艺设计确定米水源供电线路根据工艺设计确定米低压配电盘个低压配电盘个低压配电盘个低压配电盘个电容器个电力箱只动力箱只动力箱只动力箱只动力箱只电容盘个变压器台防腐配电箱只配电屏个变压支柱绝缘子个自耦减压起动箱只自耦减压起动箱只桥式电力箱只工业自动化仪表盘个按钮箱只特种变压器台避雷针板器个高压多油断路器个避雷器个硅整流屏个高压穿墙套管只导电类型或。


当接受物种О是吸附在型半导体表面氧化锌,该传感层电阻增加受体信号,当发散物氢气吸附,电阻减少供体信号型半导体氧化镍表现出反向依赖。


半导体传感器是个小绝缘基板平方毫米容纳测量电极和加热器。


后者是必要,因为在气体对半导体表面化学吸附所涉及过程中对温度是有要求。


测量电极覆盖在感测层上。


传感器存在着不同设计方案传感层和加热器可以位于两侧基板相同或不同地方,见,例,图白金或金为加热器和测量电极首选材料对于非侵略性气体,也可以用其他金属,例如镍铬合金。


该传感器特点是由化学成分和感测层材料晶体结构,以及由所有传感器组件属性,包括基体材料,材料加热器几何形状和测量电极,以及传感器设计特点所决定。


气体中杂质导致半导体传感器电阻感应层产生相互关联设置。


这些措施包括电子化处理,表面和体吸附物种扩散,并收取样本之间多晶颗粒载体转移。


因此,半导体气体传感器响应阐述是通过理论相互关联分子过程及半导体表面电子进程。


大多数情况下,化学吸附电子理论是用于此目。


模型描述了在空气中处理传感器信号考虑到传感器表面上吸附氧存在,。


用渗透理论和表面陷阱和传导障碍模型计算微晶颗粒间电荷转移。


传感层中扩散用多相催化方法阐述。


吸附相扩散和微晶间电荷转移用特定晶体结构和传感层形态学来阐述。


尽管进行了广泛研究工作,传感器设计所要求特点似乎不可能在目前得到完全实现。


到目前为止,该传感器特性和制备条件互连唯特殊方面都得到了阐明。


传感器设计意味着在特定条件特定参数下对传感器层参数和准备仿真。


图空气中可变臭氧浓度产生半导体传感器信号。


传感器三氧化钨,工作温度二三氧化钨三铟氧化铁,。


半导体金属氧化物传感器对大气中和微量元素检测在致力于半导体传感器出版物尤其是最近期中,大部分是关于臭氧传感器见,例如些二氧化氮,〜少部分是氧化氮,氯,只有很少出版物是关于二氧化氯,和氯化氢,。


应该指出氮氧化合物传感器研究都是在相当高浓度中进行约百万分之,目是为了分析汽车尾气。


当然,对臭氧传感器研究原因主要是源自于其高需求。


与此同时,重要是与臭氧接触后半导体传感器产生较大和完全可逆信号,可以可靠地计量精度高信号。


同时,简单化商业生产优质臭氧传感器可以使些实验被很容易进行。


用于检测臭氧,氮氧化物,氯气,次氯酸和盐酸这些微量物质半导体传感器材料由以下氧化物为主都掺杂或者提纯。


与型导电性金属氧化物传感器对,和微量杂质受体信号通常产生曝光不足,在气体中出现这些杂质使传感器电阻增加。


可以由在不同浓度臭氧中和基传感器动力曲线例子证实。


所有研究传感器产生信号完全可逆,虽然弱于在中产生信号,实验证明和产生信号性质相似。


通过研究传感器氧化铟或氧化锌为基础暴露产生特点信号表面,空气湿度,工作温度不同能使传感器产生不同信号,具体而言,传感器电阻可以减少或者增加。


推断这种现象在发出和接收到信号与传感器吸附氢氧有关,随着二氧化氯对由于氯氢,最重要是,空气温度和湿度影响。


等表明,轻微水分由氧化锌为基础半导体传感器产生信号。


这个问题值得更详细检查。


整体而言,传感器气体分析仪可以很好用于检查大气气体成分和空气质量。


小结空气质量管理现状可以主要概括为由半导体化学感应器整合到分析应用中所带来光明未来和其现今仍不太可能被应用事实之间矛盾。


尽管如此,大量研究动作正在进行,并研究出更多气体分析方法,为未来半导体化学传感器发展做出贡献。


参考文献。


应该指出氮氧化合物传感器研究都是在相当高浓度中进行约百万分之,目是为了分析汽车尾气。


当然,对臭氧传感器研究原因主要是源自于其高需求。


与此同时,重要是与臭氧接触后半导体传感器产生较大和完全可逆信号,可以可靠地计量精度高信号。


同时,简单化商业生产优质臭氧传感器可以使些实验被很容易进行。


用于检测臭氧,氮氧化物,氯气,次氯酸和盐酸这些微量物质半导体传感器材料由以下氧化物为主都掺杂或者提纯。


与型导电性金属氧化物传感器对,和微量杂质受体信号通常产生曝光不足,在气体中出现这些杂质使传感器电阻增加。


可以由在不同浓度臭氧中和基传感器动力曲线例子证实。


所有研究传感器产生信号完全可逆,虽然弱于在中产生信号,实验证明和产生信号性质相似俄罗斯普通化学杂志,年,第号,第卷,第页。


宿星出版社出版有限公司,年。


原始俄罗斯文本,于年发表在俄罗斯化学杂志,第二号,第卷,第页页。


金属氧化物半导体传感器用于空气中活性气体杂质测定摘要本文对测量微量和金属氧化物半导体传感器特点进行了讨论。


对半导体传感器具体功能和这些微量杂质检测进行了测定。


对由传感器产生信号大小在和传感层进行检测,涉及到检测,和浓度。


通过半导体传感器检测目标杂质敏感性反应使其适合衡量卫生区和检测大气中臭氧水平最高允许浓度。


对用半导体气体传感器气体分析仪在开放环境中测定气体杂质实例加以说明。


简介在世纪年代研究工作集中于为什吗半导体电物理特性影响气体吸附。


从那时起半导体工程取得了重大进展但也提出来反问题,即从检测半导体电物理特性变化检测气体杂质。


然而,相对于半导体器件被立即纳入科学和技术各个领域半导体传感器,它经历了个漫长过程,即从实验室模型到大规模生产。


这领域进步很大程度上归功于由领导卡尔波夫物理研究所所进行研究活动。


这些研究主要是集中在发生在半导体金属氧化物表面发生基本物理化学反应和高灵敏度传感器物理应用这些研究大部分调查结果汇总见。


为此,在实验室中些经过独特设计独无二仪器被使用。


在为测定空气中气体杂质而进行半导体传感器设计及研究活动主要是国外有了显著发展同时,适合进行大规模生产商业技术也有了很大进步。


这些成果

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