生产线正向我国战略性移动我国新建和在建英寸生产线有近条之多对大直径高质量硅晶片需求十分强劲而国内供给明显不足基本依赖进口中国硅晶片技术差距和结构不合理可见斑。在现有形势和优势面前发展我国硅单晶和技术面临着巨大机遇和挑战。山东爱和科技有限公司半导体材料项目可行性研究报告年国内从事硅单晶材料研究生产企业约有家从业人员约人主要研究和生产单位有北京有研硅股杭州海纳半导体材料公司宁波立立电子公司洛阳单晶硅厂万向硅峰电子材料公司上海晶华电子材料公司峨眉半导体材料厂河北宁晋半导体材料公司等。其中有研硅股在大直径硅单晶研制方面直居国内领先地位先后研制出我国第根英寸英寸和英寸硅产产品属于高新技术产品处于领先水平可大大提山东爱和科技有限公表流动资金估算表附表投资计划与资金筹措表附表总成本费用估算表附表固定资产折旧费估算表附表销售收入和税金估算表附表利润及利润分配表附表项目投资现金流量表附表资金来源与运用表附表资产负债表附表山东爱和科技有限公司半导体材料项目可行性研究报告第章总论第节项目名称及承办单位项目名称半导体材料项目项目建设性质承办单位山东爱和科技有限公司法人联系电话项目拟建地点山东省禹城市高新技术开发区第二节可行性研究编制单位单位名称德州天洁环境影响评价有限公司工程咨询资格证书编号工咨丙资格等级丙级发证机关国家发展和改革委员会第三节研究工作依据与范围研究工作依据双方签订关于编制项目申请报告委托书合同书二国家发展和改革委员会年第号令发布实行产业结构调整指导目录年本三信息产业科技发展十五规划和年中长期规划纲要等文件山东爱和科技有限公司半导体材料项目可行性研究报告四节能中长期专项规划五建设项目经济评价方法与参数第三版六投资项目可行性研究指南投资项目经济咨询评估指南七项目承担单位提供基础数据八国家有关法律法规及产业政策九现行有关技术规范规定及标准二研究工作范围本可行性研究主要包括对项目提出背景必要性市场前景建设规模建设条件与场地状况分析二对项目总图运输生产工艺土建公用设施等技术方案研究三对项目所采取消防环境保护劳动安全卫生及节能措施评价四对项目实施进度及劳动定员确定五对项目作出投资费用估算及财务综合评价。第四节简要结论半导体材料是指电导率介于金属和绝缘体之间固体材料。半导体于室温时电导率约在〄之间纯净半导体温度升高时电导率按指数上升。半导体材料有很多种按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。在半导体产业发展中山东爱和科技有限公司半导体材料项目可行性研究报告般将硅锗称为第代半导体材料将砷化镓磷化锢磷化镓砷化锢砷化铝及其合金等称为第二代半导体材料而将宽禁带氮化镓碳化硅硒化锌和金刚石等称为第三代半导体材料。上述材料是目前主要应用半导体材料三代半导体材料代表品种分别为硅砷化镓和氮化镓。半导体材料是制作晶件市场快速增长要求使全球砷化镓晶片市场以年增长率迅速形成数十亿美元大市场预计未来年砷化镓市场都具有高增长性。日本是最大生产国和输出山东爱和科技有限公司半导体材料项目可行性研究报告国占世界市场美国在年成功地建成了条英寸砷化镓生产线在砷化镓生产技术上领先步。日本住友电工是世界最大砷化镓生产和销售商年产单晶。美国公司是世界最大材料生产商。世界单晶主要生产商情况见表。国际上砷化镓市场需求以英寸单晶材料为主而英寸单晶材料产量和市场需求快速增加表流动资金估算表附表投资计划与资金筹措表附表总成本费用估算表附表固定资产折旧费估算表附表销售收入和税金估算表附表利润及利润分配表附表项目投资现金流量表附表资金来源与运用表附表资产负债表附表山东爱和科技有限公司半导体材料项目可行性研究报告第章总论第节项目名称及承办单位项目名称半导体材料项目项目建设性质承办单位山东爱和科技有限公司法人联系电话项目拟建地点山东省禹城市高新技术开发区第二节可行性研究编制单位单位名称德州天洁环境影响评价有限公司工程咨询资格证书编号工咨丙资格等级丙级发证机关国家发展和改革委员会第三节研究工作依据与范围研究工作依据双方签订关于编制项目申请报告委托书合同书二国家发展和改革委员会年第号令发布实行产业结构调整指导目录年本三信息产业科技发展十五规划和年中长期规划纲要等文件山东爱和科技有限公司半导体材料项目可行性研究报告四节能中长期专项规划五建设项目经济评价方法与参数第三版六投资项目可行性研究指南投资项目经济咨询评估指南七项目承担单位提供基础数据八国家有关法律法规及产业政策九现行有关技术规范规定及标准二研究工作范围本可行性研究主要包括对项目提出背景必要性市场前景建设规模建设条件与场地状况分析二对项目总图运输生产工艺土建公用设施等技术方案研究三对项目所采取消防环境保护劳动安全卫生及节能措施评价四对项目实施进度及劳动定员确定五对项目作出投资费用估算及财务综合评价。第四节简要结论半导体材料是指电导率介于金属和绝缘体之间固体材料。半导体于室温时电导率约在〄之间纯净半导体温度升高时电导率按指数上升。半导体材料有很多种按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。在半导体产业发展中山东爱和科技有限公司半导体材料项目可行性研究报告般将硅锗称为第代半导体材料将砷化镓磷化锢磷化镓砷化锢砷化铝及其合金等称为第二代半导体材料而将宽禁带氮化镓碳化硅硒化锌和金刚石等称为第三代半导体材料。上述材料是目前主要应用半导体材料三代半导体材料代表品种分别为硅砷化镓和氮化镓。半导体材料是制作晶公司。九十年代初美国国防部和能源部都把集成电路列为重点项目要求到年在武器系统中要广泛使用器件和集成电路从此开始了有关材料和器件系统研究并取得了令人鼓舞进展。即目前为止直径具有良好性能半绝缘和掺杂材料已经商品化。美国政府与西屋西子公司合作投资万美元开了英寸纯度均匀低缺陷单晶和外延材料。另外制造器件工艺如离子注入氧化欧山东爱和科技有限公司半导体材料项目可行性研究报告姆接触和肖特基接触以及反应离子刻蚀等工艺取得了重大进展所以促成了器件和集成电路快速发展。由于器件优势和实际需求它已经显示出良好应用前景。航空航天冶炼以及深井勘探等许多领域中电子系统需要工作在高温环境中这要求器件和电路能够适应这种需要而各类器件都显示良好温度性能。具有较大禁带宽度使得基于这种材料制成器件和电路可以满足在到条件下工作需要目前有些研究水平已经达到工作温度并正在研究更高工作温度器件和集成电路。二我国半导体材料现状中国半导体材料行业经过四十多年发展已取得相当大进展先后研制和生产了英寸英寸英寸英寸和英寸硅片。随着半导体分立元件和硅光电池用低档和廉价硅材料需求增加中国单晶硅产量逐年增加。据统计年我国半导体硅材料销售额达亿元年均增长。单晶硅产量为抛光片产量万平方英寸主要规格为英寸英寸正片已供应集成电路企业英寸主要用作陪片。单晶硅出口比重大出口额为万美元占总销售额较年增长了。目前国外英寸生产线正向我国战略性移动我国新建和在建英寸生产线有近条之多对大直径高质量硅晶片需求十分强劲而国内供给明显不足基本依赖进口中国硅晶片技术差距和结构不合理可见斑。在现有形势和优势面前发展我国硅单晶和技术面临着巨大机遇和挑战。山东爱和科技有限公司半导体材料项目可行性研究报告年国内从事硅单晶材料研究生产企业约有家从业人员约人主要研究和生产单位有北京有研硅股杭州海纳半导体材料公司宁波立立电子公司洛阳单晶硅厂万向硅峰电子材料公司上海晶华电子材料公司峨眉半导体材料厂河北宁晋半导体材料公司等。其中有研硅股在大直径硅单晶研制方面直居国内领先地位先后研制出我国第根英寸英寸和英寸硅产产品属于高新技术产品处于领先水平可大大提山东爱和科技有限公表流动资金估算表附表投资计划与资金筹措表附表总成本费用估算表附表固定资产折旧费估算表附表销售收入和税金估算表附表利润及利润分配表附表项目投资现金流量表附表资金来源与运用表附表资产负债表附表山东爱和科技有限公司半导体材料项目可行性研究报告第章总论第节项目名称及承办单位项目名称半导体材料项目项目建设性质承办单位山东爱和科技有限公司法人联系电话项目拟建地点山东省禹城市高新技术开发区第二节可行性研究编制单位单位名称德州天洁环境影响评价有限公司工程咨询资格证书编号工咨丙资格等级丙级发证机关国家发展和改革委员会第三节研究工作依据与范围研究工作依据双方签订关于编制项目申请报告委托书合同书二国家发展和改革委员会年第号令发布实行产业结构调整指导目录年本三信息产业科技发展十五规划和年中长期规划纲要等文件山东爱和科技有限公司半导体材料项目可行性研究报告四节能中长期专项规划五建设项目经济评价方法与参数第三版六投资项目可行性研究指南投资项目经济咨询评估指南七项目承担单位提供基础数据八国家有关法律法规及产业政策九现行有关技术规范规定及标准二研究工作范围本可行性研究主要包括对项目提出背景必要性市场前景建设规模建设条件与场地状况分析二对项目总图运输生产工艺土建公用设施等技术方案研究三对项目所采取消防环境保护劳动安全卫生及节能措施评价四对项目实施进度及劳动定员确定五对项目作出投资费用估算及财务综合评价。第四节简要结论半导体材料是指电导率介于金属和绝缘体之间固体材料。半导体于室温时电导率约在〄之间纯净半导体温度升高时电导率按指数上升。半导体材料有很多种按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。在半导体产业发展中山东爱和科技有限公司半导体材料项目可行性研究报告般将硅锗称为第代半导体材料将砷化镓磷化锢磷化镓砷化锢砷化铝及其合金等称为第二代半导体材料而将宽禁带氮化镓碳化硅硒化锌和金刚石等称为第三代半导体材料。上述材料是目前主要应用半导体材料三代半导体材料代表品种分别为硅砷化镓和氮化镓。半导体材料是制作晶片公司销量占硅片总销量以上其山东爱和科技有限公司半导体材料项目可行性研究报告中信越瓦克和四家销售额占世界硅片销售额以上决定着国际硅材料价格和高端技术产品市场其中以日本硅材料产业最大占据了国际硅材料行业半壁江山。在集成电路用硅片中英寸硅片占主流约英寸硅片占。当硅片直径从英寸到英寸时每片硅片芯片数增加倍成本约降低因此国际大公司都在发展英寸硅片年产量将达到亿平方英寸将占总产量左右。砷化镓单晶材料砷化镓是微电子和光电子基础材料为直接带隙具有电子饱和漂移速度高耐高温抗辐