在块半绝缘的砷化钾衬底上用外延法生长层型砷化钾层,在其两端分别引出源极和漏极,在两者之间引出栅极。对于砷化钾,栅长是个决定最大工作频率的关键参数。高频电路原理与分析第章高频电路的集成化与图砷化钾的结构源极栅极漏极“沟道”型半导体衬底高频电路原理与分析第章高频电路的集成化与首次出现于年的高电子迁移率晶体管可以最大限度地利用砷化钾的高电子迁移率的特性。耗尽型的场效应管是在半绝缘的衬底上连续生长不掺杂或轻掺杂的掺硅的型路的集成化与低介电材料技术由于互连金属层之间的绝缘介质采用或氮化硅,其介电常数分别接近和,造成互连线间较大的电容。因此研究与硅工艺兼容的低介质也是重要的课题之。高频电路原理与分析第章高频电路的集成化与更大规模和单片化集成工艺的改进和集成度的提高直接导致集成电路规模的扩大。实际上,改进集成工艺和提高集成度的目的也正是为了制作更大规模的集成电路。更高频率随着无线通信频段向高端的扩展,势必也会开发出频率更高的高频集成电路。数字化与智能化随着数字技术和数字信号处理技术的发展,越来越多的高频信号处理电路可以用数字和数字信号处理技术来实现,如数字上下变频器数字调制解调器等。高频电路原理与分析第章高频电路的集成化与高频集成电路高频单元集成电路这里的高频单元集成电路,指的是完成单功能的高频集成电路,如集成的高频放大器低噪声放大器宽带高频放大器高频功率放大器高频集成乘法器可用做混频器调制解调器等高频混频器高频集成振荡器等,其功能和性能通常具有定的通用性。高频电路原理与分析第章高频电路的集成化与高频组合集成电路高频组合集成电路是集成了几个高频单元集成电路和其它电路而完成种特定功能的集成电路。比如是种宽带调频中频集成电路,它是为卫星电视宽带数据和模拟调频应用而设计的调频解调器,具有很高的中频增益典型值为功率增益,的视频基带解调器,同时具有接收信号强度指示功能动态范围约。的内部框图如图所示。高频电路原理与分析第章高频电路的集成化与图的内部框图三级放大器输入输入解调器去耦平衡输出限幅器输出正交线圈去耦缓冲输出输出限幅器输出高频电路原理与分析第章高频电路的集成化与为种低功耗的接收机中频子系统芯片,它带有自动增益控制的接收信号强度指示功能,可广泛应用于和等通信系统的接收机卫星终端和便携式通信设备中。的引脚如图所示。它提供了实现完整的低功耗单变频接收机或双变频接收机所需的大部分电路,其输入频率最大为,中频输入为到。高频电路原理与分析第章高频电路的集成化与图的引脚图高频电路原理与分析第章高频电路的集成化与的内部功能框图如图所示。它包含了个可变增益混频器和线性四级放大器,可提供的电压控制增益范围大于。混频级后是双解调器,各包含个乘法器,后接个双极点的低通滤波器,由锁相环路驱动,该锁相环路同时提供同相和正交时钟。高频电路原理与分析第章高频电路的集成化与第章高频电路的集成化与高频电路的集成化高频集成电路高频电路高频电路原理与分析第章高频电路的集成化与高频电路的集成化高频集成电路的类型集成电路是为了完成种电子电路功能,以特定的工艺在单独的基片之上或基片之内形成并互连有关元器件,从而构成的微型电子电路。高频集成电路都可以归纳为以下几种类型高频电路原理与分析第章高频电路的集成化与按照频率来划分,有高频集成电路甚高频集成电路和微波集成电路等几种。与普通集成电路样,高频集成电路可分为单片高频集成电路和混合高频集成电路。从功能或用途上来分,高频集成电路有高频通用集成电路和高频专用集成电路两种。高频电路原理与分析第章高频电路的集成化与高频电路的集成化技术纷繁众多的高频集成电路,其实现方法和集成工艺除薄厚膜技术等混合技术外,通常有以下几种传统硅技术年美国得克萨斯仪器公司和仙童公司研制成功第批集成电路,接着在年发明了制造硅平面晶体管的“平面工艺”,利用半导体平面工艺在硅片内制作元器件,并按电路要求在硅片表面制作互连导体,从而制成高密度平面化的集成电路,完善了集成电路的生产工艺。高频电路原理与分析第章高频电路的集成化与砷化钾技术以砷化钾材料替代硅材料形成的砷化钾技术主要用在微波电路中。砷化钾集成电路自年由公司首创以来,也都直用在微波系统中。作为无线通信用高频模拟集成电路的选择,砷化钾器件也只是近几年的事情。高频电路原理与分析第章高频电路的集成化与砷化钾的结构如图所示,它是在块半绝缘的砷化钾衬底上用外延法生长层型砷化钾层,在其两端分别引出源极和漏极,在两者之间引出栅极。对于砷化钾,栅长是个决定最大工作频率的关键参数。高频电路原理与分析第章高频电路的集成化与图砷化钾的结构源极栅极漏极“沟道”型半导体衬底高频电路原理与分析第章高频电路的集成化与首次出现于年的高电子迁移率晶体管可以最大限度地利用砷化钾的高电子迁移率的特性。耗尽型的场效应管是在半绝缘的衬底上连续生长不掺杂或轻掺杂的掺硅的型层和掺硅的型层,在层内形成耗尽层。再利用和电子亲和力之差,在未掺杂的的表面之下形成二次电子气层,如图所示高频电路原理与分析第章高频电路的集成化与图耗尽型的场效应管结构栅极源极漏极不掺杂半绝缘衬底二次电子气层高频电路原理与分析第章高频电路的集成化与