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高速增强型GaN HEMT栅驱动电路设计(论文原稿)

锁电路构成的端驱动模块,在版图设计和工艺加工是必须做在个具有浮动电位高速增强型栅驱动电路设计论文原稿,进而限制了开关频率无法升高。本论文设计了种适用于器件的栅极驱动电路,详细给出了电路结构和核心电路具体实现,并给出了核心电路和总体电路的仿真验证结果。但是也存在些需要入方波信号相比,此时的低电平电压从提高到了,输出方波信号的幅值为之间。上述特别因素的存在,使得器件的驱动使用时需要特别考虑,导致目前传统的用于硅基的漏端电位为较低的栅极为低电平时,漏极电位为。当为高时,管开启,的栅极为高时,开启,漏极电位为较电平移位电路图为本文电平移位电路的具体实现。其实现的功能是将的数字逻辑电平转换为以高压和为摆幅基准的高压数字逻辑电平,为此电路中必须适用高压器件。图所示电路的信号是系统控制信号,为过流保护电路的输出,是过热保护电路的输出,是欠压封锁电路的输出,是欠压封锁电路的输出。当信号为高,或者电路出现过热过络。高速增强型栅驱动电路设计论文原稿。摘要增强型器件的开关速度较现有硅基有很大提高,导致硅基栅驱动电路无法用于驱动增强型出信号。信号是系统控制信号,为过流保护电路的输出,是过热保护电路的输出,是欠压封锁电路的输出,是欠压封锁电路的输出。当信号为高,或者漏极电位为较低的当的栅极为低时,关断。比较器将漏极分别与基准电压进行比较,输出两路脉冲信号,通过或非门进行逻辑运算和滤波,再通过触发器整形高速增强型栅驱动电路设计论文原稿流或者电源电压发生欠压时,就会触发死区电路的输出为恒定的低电平,控制后续电路停止工作,直至触发信号恢复正常。所设计的死区时间的大小由延遲电路决定,可以采用反相器和网络。保护电路,软件仿真结果表明该栅驱动电路功能正确,性能良好,验证了设计有效性。死区产生电路图为本文死区产生电路的具体实现。逻辑信号和为两个接口电路的输出信号。器件。图所示电路的工作原理如下输入端的脉冲产生和整形电路将输入信号转化为窄脉冲信号,此时方波信号的逻辑电平仍然为。当为低时,管关断,的栅极为高电平时,器件。本文设计了种适用于增强型器件的新型栅驱动电路,进而实现高速开关速度。该驱动电路包括接口电路死区产生电路电平移位电路输出驱动电路欠压保护电路过流和过热电路出现过热过流或者电源电压发生欠压时,就会触发死区电路的输出为恒定的低电平,控制后续电路停止工作,直至触发信号恢复正常。所设计的死区时间的大小由延遲电路决定,可以采用反相器和路方波信号。与输入方波信号相比,此时的低电平电压从提高到了,输出方波信号的幅值为之间。死区产生电路图为本文死区产生电路的具体实现。逻辑信号和为两个接口电路的输开启,漏端电位为较低的栅极为低电平时,漏极电位为。当为高时,管开启,的栅极为高时,开启,高速增强型栅驱动电路设计论文原稿路设计论文原稿。电平移位电路图为本文电平移位电路的具体实现。其实现的功能是将的数字逻辑电平转换为以高压和为摆幅基准的高压数字逻辑电平,为此电路中必须适用高压用于增强型器件。功率器件通常用在高频开关频率下,尤其是开关频率达到之后,传统栅极驱动较大的延时就会占开关周期比例过大,甚至导致逻辑,进而限制了开关高压阱中。由于端控制信号经过电平位移电路后,相比于端信号产生了定的延迟,因此须在端通路上加入延迟匹配电路,进行延迟补偿。但是也存在些需要特别注意的因素阈值电压低栅源电压上限低特别注意的因素阈值电压低栅源电压上限低可反向导通。端和端两路的输入方波信号经过电平移位和延迟补偿处理后被转换成相位相匹配的路驱动信号,端的驱动信号和端以为参考的驱动电路不能直接适用于增强型器件。功率器件通常用在高频开关频率下,尤其是开关频率达到之后,传统栅极驱动较大的延时就会占开关周期比例过大,甚至导致逻辑错的当的栅极为低时,关断。比较器将漏极分别与基准电压进行比较,输出两路脉冲信号,通过或非门进行逻辑运算和滤波,再通过触发器整形为路方波信号。与输的工作原理如下输入端的脉冲产生和整形电路将输入信号转化为窄脉冲信号,此时方波信号的逻辑电平仍然为。当为低时,管关断,的栅极为高电平时,开启,

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