附翻译操作手册第页建议本教程的目的是教会你如何使用。为了节省时间,你不需要了解每个层的名字和功能的不同只需要根据这个教程所述的方法绘制对象。分别在型区型区上画出源区漏区和衬底有源区。基区不能直接连接到金属层，所以我们需要在连接处生成型或者型掺杂层。注意型选择区可以正交穿过多晶硅栅，因为在芯片受到型掺杂原子轰击的时候多晶硅栅可以阻止型原子淀积在栅下。管输出特性曲线附参数测量管输出特性曲线附参数测量参考文献关旭东硅集成电路工艺基础北京大学出版社刘恩科朱秉升罗晋生半导体物理学电子工业出版社施敏梅凯瑞半导谢谢指导半导体器件课程设计报告彭淑瑾体制造工艺基础安徽大学出版社蔡懿慈周强超大规模集成电路设计导论清华大学出版社王志功景为平孙玲集成电路设计技术与工具东南大学出版社曾树荣半导体器件物理基础北京大学出版社王志功，陈莹梅集成电路设计电子工业出版社廖裕评微电子系统设计导论东南大学出版社童勤义，陆瑞强集成电路设计与布局实战指导科学出版社美,集成点了版图基础清华大学出版社百度百科为单元的集成电路具有功耗低，抗干扰能力强和速度快的优点，在般逻辑电路大规模存储器以及未处理器等领域都得到了广泛的应用。四和工艺四和工艺双极型晶体管工艺流程衬底选择。选用型衬底。第次光刻掩埋层扩散孔光刻外延层淀积去除氧化层，在衬底上外延生长出型硅第二次光刻隔离扩散孔光刻,在硅衬底上形成许多孤立的外延岛区，以实现各元件间的电隔离。隔离扩散后的芯片剖面图。四和工艺双极型晶体管工艺流程第三次光刻型基区扩散孔光刻,通过光刻和离子注入，形成基区和型扩散电阻。第四次光刻发生区扩散孔光刻第四次光刻是为了在基区中制造掺杂的发射区留下开孔，同时还包括型电阻的接触孔和外延层的管漏源区。用光刻胶将管保护起来，光刻阱中的管，注入硼并扩散形成管漏源区。四和工艺双阱工艺形成接触孔硅片表面淀积二氧化硅薄膜。形成金属层淀积金属层，光刻定义出连线图形。五可调电阻版图版，多晶硅版版，金属反刻版版，金属反刻版版，接触孔版版，接触孔版用版时，用版时，五可调电阻版图版，多晶硅版版，金属反刻版版，金属反刻版五可调电阻版图版，接触孔版版，接触孔版五可调电阻版图工艺参数值衬底类型为型多晶硅薄层的方块电阻值硅片电阻率取扩散深度扩散温度衬底掺杂浓度扩散时间反偏孔。第五次光刻引线接触孔光刻目的是为了给电极和电阻引线留下位置。第六次光刻金属化内连线光刻四和工艺双阱工艺衬底准备,衬底氧化后形成二氧化硅层，在层上再生长氮化硅层。通过光刻定义出阱区域，刻蚀阱区层，层离子注入形成阱。在阱区扩散并生长厚层，其他区域被层保护而不会被氧化形成阱去掉光刻胶及层，阱区进行离子注入形成阱。四和工艺双阱工艺形成场隔离区,生长层薄氧化层，淀积层氮化硅，光刻场氧化区，场区离子注入。形成多晶硅栅生长栅氧化层，沉积光刻和刻蚀多晶硅栅。形成管漏源区。阱中的管光刻，注入磷或砷并扩散，形成管漏源区。形成，金属反刻版•版，扩磷版•版，金属接触孔版•版，有源区接触孔版版，多晶硅版版，金属反刻版版，有源区版版，型注入区版二传输门版图具体分版图如下图所示二传输门版图版，型注入区版版，多晶硅接触孔版版，金属反刻版版，扩磷版二传输门版图版，金属接触孔版版，有源区接触孔版二传输门版图总版图图形轴长度，轴长度，图形有效面积为版，有色区域为光刻版的不透光区。版，为金属反刻版图形有色区域为光刻版的透光区。三传输门工艺流程三传输门工艺流程三传输门工艺流程三传输门工艺流程三传输门工艺流程三传输门工艺流程三传输门工艺流程三传输门工艺流程三传输门工艺流程三传输门工艺流程三传输门工艺流程四和工艺双极性晶体管简介在半导体的晶体中形成两个靠的很近的结即可构成双极性晶体管。这两个晶体管将半导体分成三个部分，他们的排列顺序是或者。双极性晶体管有四种工作状态•发射结正偏，集电结反偏时，为放大工作状态•发射结正偏，集电结正偏时，为饱和工作状态•发射结反偏，集电结反偏时，为截止工作状态•发射结反偏，集电结正偏时，为反向工作状态四和工艺简介四和工艺，互补金属氧化物半导体，电压控制的种放大器件。是组成数字集成电路的基本单元。以半导体器件课程设计报告目录传输门简介传输门版图传输门工艺流程和工艺可调电阻版图传输门的简介传输门如图所示是由对互补晶体管构成。传输门是较为理想的开关，它可以将信号无损失的传输到输出端。工作时，衬底接地，管的衬底接电源，且管的栅压与管的栅压极性相反。传输门的简介直流电压传输特性传输高电平分为个阶段和都饱和饱和,线性线性,截止二传输门版图•版，多晶硅版•版，金属反刻版•版，有源区版•版，型注入区版•版，型注入区版•版，多晶硅接触孔版•版，附翻译操作手册第页建议本教程的目的是教会你如何使用。为了节省时间,你不需要了解每个层的名字和功能的不同只需要根据这个教程所述的方法绘制对象。分别在型区型区上画出源区漏区和衬底有源区。基区不能直接连接到金属层，所以我们需要在连接处生成型或者型掺杂层。注意型选择区可以正交穿过多晶硅栅，因为在芯片受到型掺杂原子轰击的时候多晶硅栅可以阻止型原子淀积在栅下。管输出特性曲线附参数测量管输出特性曲线附参数测量参考文献关旭东硅集成电路工艺基础北京大学出版社刘恩科朱秉升罗晋生半导体物理学电子工业出版社施敏梅凯瑞半导管漏源区。用光刻胶将管保护起来，光刻阱中的管，注入硼并扩散形成管漏源区。四和工艺双阱工艺形成接触孔硅片表面淀积二氧化硅薄膜。形成金属层淀积金属层，光刻定义出连线图形。五可调电阻版图版，多晶硅版版，金属反刻版版，金属反刻版版，接触孔版版，接触孔版用版时，用版时，五可调电阻版图版，多晶硅版版，金属反刻版版，金属反刻版五可调电阻版图版，接触孔版版，接触孔版五可调电阻版图工艺参数值衬底类型为型多晶硅薄层的方块电阻值硅片电阻率取扩散深度扩散温度衬底掺杂浓度扩散时间