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doc (外文翻译)化学浴沉积法制备金属氧化物薄膜(译文) ㊣ 精品文档 值得下载

🔯 格式:DOC | ❒ 页数:4 页 | ⭐收藏:0人 | ✔ 可以修改 | @ 版权投诉 | ❤️ 我的浏览 | 上传时间:2022-06-25 05:44

《(外文翻译)化学浴沉积法制备金属氧化物薄膜(译文)》修改意见稿

1、以下这些语句存在若干问题,包括语法错误、标点使用不当、语句不通畅及信息不完整——“.....硫代乙酰胺,硫代硫酸盐,钠硫化物通常被用作硫化物初级形式,金属前体是氨配体与金属离子络合。有趣是注意到,和喷雾热分解硫化物沉积法相似地方是采用相同在溶剂中分散前体硫脲和硫代乙酰胺和金属盐类使用。在中,溶液化学让自发液相反应成为可能,而喷雾热分解法由于不同溶液化学,反应需要更高温度处理,因此发生在气相阶段。目前吸引了很多关注,它不需要复杂仪器比如蒸汽系统和其他昂贵设备。简单设备例如带有磁石搅拌器热板是不可或缺。原料普遍便宜来源广。通过,很多基体能被个适当单次运行设计所复盖。基体导电系数是不必需。溶液能得到任何不溶表面将成为沉积合适衬底。低温沉积避免了氧化和金属基体腐蚀。化学沉积导致了,律沉积很容易获能被获得。文献中出现了很多讨论地位评论文章。溶液中固相形成包括两个阶段成核和生长......”

2、以下这些语句存在多处问题,具体涉及到语法误用、标点符号运用不当、句子表达不流畅以及信息表述不全面——“.....反应发生在溶解初期,通常在较低温度下水溶液第页共页中文字化学浴沉积法制备金属氧化物薄膜,薄膜物理实验室,印度希瓦吉大学收到年月日,经修订表格年月日收到接受年月日。摘要由化学方法制备金属氧化物薄膜方法目前受到很大关注,它相对因为这些是避免基体氧化和侵蚀低温程序,很多基体,像是绝缘体半导体或金属,能被利用。这些是用改良晶粒组织促进晶体较好定方位缓慢过程。根据沉积条件不同,膜生长可以采取离子对基材材料凝结或从底物上胶体粒子吸附地方。使用这些方法,薄膜等已沉积出来。太阳能选择性涂层,太阳能控制,光电导,固态及光电太阳能电池,光学成像,全息图记录,光大容量存储器等都是金属硫薄膜些应用。在本综述中,我们有详细介绍,化学浴金属硫系薄膜沉积法,它有高产优质薄膜能力。他们制备参数,结构,光学......”

3、以下这些语句在语言表达上出现了多方面的问题,包括语法错误、标点符号使用不规范、句子结构不够流畅,以及内容阐述不够详尽和全面——“.....在太阳能转换电子学磁储存装置生物传感及催化方面有着潜在应用。氧化哑铜带隙宽度为,激子在单晶中可以连续地传输,使它具有较高吸光系数,成为制作光电转化器重要材料。由于量子尺寸效应,随着粒径减小,氧化亚铜展现出奇特光学电学及光电化学性质和第页共页催化活性,氧化亚铜哑微米球目前已用于锂电池负极材料旧亚微米级氧化亚铜具有特殊光催化活性,能在可见光作用光解水生成氢气和氧气川,这为未来氢能源开发提供了重要思路。结论在本综述中,我们描述了金属硫系薄膜化学浴沉积。这种方法简单,价格低廉,方便大面积沉积和高产优质薄膜能力。以表格形式提交数据表明,成膜可以进行各种基材上进行。这种半导体物理和化学性质比较与其他方法制备半导体......”

4、以下这些语句该文档存在较明显的语言表达瑕疵,包括语法错误、标点符号使用不规范,句子结构不够顺畅,以及信息传达不充分,需要综合性的修订与完善——“.....探测器,这些薄膜太阳能等选择性涂层设备显示在现代薄膜技术方法前景。,狭带滤波器日光电池,光导体探测器,波导涂料,卫星温度控制,光热太阳能涂层例如黑铬,镍,钴,等等。磁性薄膜,超导体薄膜,抗腐蚀薄膜,微电子设备,菱形薄膜,通过涂层或表面改性减少等等,取向附生和异质结构薄膜,耐高温薄膜,硬质涂层等。薄膜设备快速发展有助于发展独石和混合微电子集成电路,硫化物薄膜有助于大面积光电二极管阵列太阳能选择涂料太阳能电池传感器等制备。通过真空蒸发,喷溅,以及化学方法例如化学蒸汽沉积,喷雾高温分解,电沉积,阳极化处理,无电镀电转换,浸增长,连续离子吸附和反应,化学浴沉积,溶解气接口技术是众所周知。就是在溶液中生长,控制析出,或简单化学沉积,最近被用作金属氧化物薄膜沉积。它在液相中......”

5、以下这些语句存在多种问题,包括语法错误、不规范的标点符号使用、句子结构不够清晰流畅,以及信息传达不够完整详尽——“.....对于任何沉淀,有很少部分离子或分子在于溶液接触过程中产生了稳定相,被称作核心。晶核形成对沉淀洗出是很重要。溶液中核概念是形成分子团簇进行快速分解和粒子结合起来,长大了定厚度薄膜,取决于沉积条件例如水浴温度,搅拌速率溶液浓度等等。薄膜生长发生在原料离子离子凝聚或基体上溶液中胶质点吸附作用。使用很多二元硫化物例如等等,以及三元硫化物例如,等等沉积出薄膜。在目前文献中,有项关于用化学浴沉积法制备氧化物薄膜研究,讨论了化学浴沉积理论背景,总结了二元和三元硫化物半导体薄膜物理化学性质。化学浴沉积理论背景溶解度和离子产物概念难溶盐,当放进水中,获得包含和离子和不溶固体饱和溶液,固体和溶液中建立了个平衡反应。运用质量作用定律由于和是常数,产物也是常数。常数被称作溶度积......”

6、以下这些语句存在多方面的问题亟需改进,具体而言:标点符号运用不当,句子结构条理性不足导致流畅度欠佳,存在语法误用情况,且在内容表述上缺乏完整性。——“.....我们还讨论了化学浴沉积法制备薄膜理论背景。关键词金属硫族化合物薄膜薄固体化学浴沉积简介薄膜材料在不同领域有很多应用。他们有些是涂料干扰滤波器,狭带滤波器日光电池,光导体探测器,波导涂料,卫星温度控制,光热太阳能涂层例如黑铬,镍,钴,等等。磁性薄膜,超导体薄膜,抗腐蚀薄膜,微电子设备,菱形薄膜,通过涂层或表面改性减少等等,取向附生和异质结构薄膜,耐高温薄膜,硬质涂层等。薄膜设备快速发展有助于发展独石和混合微电子集成电路,硫化物薄膜有助于大面积光电二极管阵列太阳能选择涂料太阳能电池传感器等制备。通过真空蒸发,喷溅,以及化学方法例如化学蒸汽沉积,喷雾高温分解,电沉积,阳极化处理,无电镀电转换,浸增长,连续离子吸附和反应,化学浴沉积,溶解气接口技术是众所周知。就是在溶液中生长......”

7、以下这些语句存在标点错误、句法不清、语法失误和内容缺失等问题,需改进——“.....试剂浓度析出过程中沉淀物溶解度。所有这些都与系统过饱和度有关。过饱和状态可以通过降低不饱和溶液温度来获得。对任何沉淀物,都有个形成稳定与溶液接触第二相离子或分子量最小值,被称作晶核。核心在溶液中形成速率取决于过饱和程度。晶核形成速率随过饱和度增加呈指数增长。晶核形成速率考虑到,是溶质浓度,和是常数,第二步是已经存在于溶液中晶粒生长,这开始于核心形成。对离子固体来说,这个过程包括阴阳离子在合适位置沉积。实验细节化学浴沉积法在操作基础上,实验设置是用来从溶液中大量沉积薄膜,在这技术中基板和溶液是静止,溶液用磁搅拌器帮助搅拌。并不断搅拌水或石蜡浴用于化学水浴加热到所需温度......”

8、以下文段存在较多缺陷,具体而言:语法误用情况较多,标点符号使用不规范,影响文本断句理解;句子结构与表达缺乏流畅性,阅读体验受影响——“.....当离子浓度超过了溶解度,溶液是过饱和,沉淀就开始了,离子在溶液和基体上联合形成核。有三个主要因素影响了溶度积温度溶剂和晶粒尺寸。溶解度改变是温度函数,因为温度应力增加,沉淀物和溶液中离子之间平衡将根据反应是吸热还是放热转移方向。使用低介电常数溶剂,较难溶物质在水中溶解度在添加了酒精和其他水溶性溶剂后有所降低。当颗粒尺寸增加,溶解度也会增大。溶解度常数已经通过不同方法测出来了,包括量热法,离子交换,电导率,离子交换法,极谱法,热力学数据,反应速率等等。溶解度常数取决于温度媒介和测量方法,因此个数量级物质溶解度常数不同,在文献中有报道。最近使用热力学数据,纳入新水溶液在碱性介质中形成自由能有发现,不溶性金属硫化物溶解性盐类产品程度比以前少几个数量级......”

9、以下这些语句存在多方面瑕疵,具体表现在:语法结构错误频现,标点符号运用失当,句子表达欠流畅,以及信息阐述不够周全,影响了整体的可读性和准确性——“.....近年来受到广泛关注,薄膜可以用真空沉积法烧结法化学沉积法等制备,薄膜已经通过化学浴沉积法从酸性溶液碱性溶液和非水浴中制备出来。硫化锌是具有大间隙半导体材料,它在薄膜器件上有巨大潜在应用,如光致发光和电致发光设备。另外,硫化锌是短波长发光二极管上重要物质。有报道过用具有缓冲层渐变带隙制备微型薄膜。光浸泡后沉积使效率增长了。硫化锌薄膜已经通过使用硫脲和硫代乙酰胺从酸性溶液碱性溶液中制备出来。双层薄膜系统等显示了异常光电导性能,由谱记忆表征。这些材料暗电导率定温度范围不是常数,但在很大程度上取决于光波长。有可变光学带隙硫化汞和硫化铅复合薄膜是很有前景半导体材料。半导材料红外探测范围为毫米。金属硒薄膜硒化镉作为半导体和太阳能材料展示了巨大潜力。这些薄膜应用于制造光电器件......”

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